格科微电子(上海)有限公司徐涛获国家专利权
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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利背照式图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111067482.9，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器及其形成方法是由徐涛;付文;郑展设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种背照式图像传感器及其形成方法，所述背照式图像传感器包括若干第一隔离结构，自第一面延伸至半导体衬底内，并具有第一开口自所述第一隔离结构的顶部延伸至所述第一隔离结构内；第一外延层覆盖所述第一开口的侧壁及底部；格栅结构包括上下相连的第一格栅部及第二格栅部。本发明通过低温外延工艺形成的第一外延层，避免了高温工艺对第一隔离结构的影响，所述第一格栅部设于所述第一外延层上，并填充所述第一开口，所述第二格栅部沿所述第一格栅部的顶部延伸且覆盖所述第一开口，彩色滤色片及微透镜嵌设相邻的所述第二格栅部之间，避免串扰效应，提高背照式图像传感器的性能。
本发明授权背照式图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面及第二面； 形成若干第一隔离结构，各所述第一隔离结构自所述第一面延伸至所述半导体衬底内； 在所述半导体衬底内形成若干感光单元，各所述感光单元包括光电二极管，各所述光电二极管并排设于相邻各所述第一隔离结构之间； 形成覆盖所述第一面及所述第一隔离结构的掩模层； 刻蚀所述掩模层及所述第一隔离结构，形成上下相连的第二开口及第一开口，所述第二开口贯穿所述掩模层，所述第一开口自所述第二开口的底部延伸至所述第一隔离结构内； 采用第一外延工艺，形成覆盖所述第一开口的侧壁及底部的第一外延层； 依次填充所述第二开口及所述第一开口，形成上下相连的第一格栅部及第二格栅部以形成格栅结构； 去除所述掩模层。
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