国际商业机器公司N·帕潘德尔欧获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利更新非易失性随机存取存储器中的校正读取电压偏移获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080073128.4，技术领域涉及：G06F11/07；该发明授权更新非易失性随机存取存储器中的校正读取电压偏移是由N·帕潘德尔欧;C·波奇蒂斯;N·约安努;R·普莱卡;R·斯托伊卡;S·托米克;A·弗赖伊;T·费希尔设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本更新非易失性随机存取存储器中的校正读取电压偏移在说明书摘要公布了：根据一种方法，一种计算机实现的方法包括：通过计算给定页的第一数目的独立读取电压偏移值，使用第一校准方案来校准块中的给定页606。尝试读取经校准的给定页608，且响应于确定在尝试读取经校准的给定页时发生错误校正码失败，使用第二校准方案来重新校准块中的给定页612。第二校准方案被配置为计算给定页的第二数目的独立读取电压偏移值。还尝试读取重新校准的给定页614。响应于确定在尝试读取重新校准的给定页时确实发生错误校正码失败，发送用于重定位存储在给定页中的数据的一个或多个指令618。
本发明授权更新非易失性随机存取存储器中的校正读取电压偏移在权利要求书中公布了：1.一种计算机实现的方法，包括，对于存储器块中的每个页： 使用第一校准方案来校准所述块中的给定页，其中所述第一校准方案被配置为计算存储器块中的页的第一数目的独立读取电压偏移值及第一数目的公共读取电压偏移值； 尝试读取所述经校准的给定页； 响应于确定在尝试读取所述经校准的给定页时发生错误校正码失败，使用第二校准方案来重新校准所述块中的所述给定页，其中所述第二校准方案被配置为计算存储器块中的页的第二数目的独立读取电压偏移值及第二数目的公共读取电压偏移值； 尝试读取所述重新校准的给定页；以及 响应于确定在尝试读取所述重新校准的给定页时确实发生错误校正码失败，发送一个或多个指令以重定位存储在所述给定页中的数据， 其中所述第一数目的独立读取电压偏移值少于所述第二数目的独立读取电压偏移值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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