买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011180615.9，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权垂直存储器件是由宋承砇;金江旻;申重植;林根元设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直存储器件在说明书摘要公布了：一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、第一至第三分割图案以及第一支撑层。栅电极结构包括在第一方向上堆叠的栅电极，并且在第二方向上延伸。栅电极结构在第三方向上彼此间隔开。第一分割图案在栅电极结构之间在第二方向上延伸。第二分割图案和第三分割图案在栅电极结构之间在第二方向上交替地设置。第一支撑层在栅电极结构上在与第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分基本上相同的高度处，并且接触第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分。在平面图中，第一分割图案的上部部分和第二分割图案的上部部分在第二方向上以Z字形图案布置。

本发明授权垂直存储器件在权利要求书中公布了：1.一种垂直存储器件，包括： 栅电极结构，每个所述栅电极结构包括在衬底上在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开的栅电极，其中所述栅电极中的每个在平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸，所述栅电极结构在平行于所述衬底的所述上表面并且与所述第二方向交叉的第三方向上彼此间隔开； 沟道，每个所述沟道在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极结构中的一个； 第一分割图案，在所述栅电极结构中的在所述第三方向上相邻的第一栅电极结构之间在所述第二方向上延伸； 第二分割图案和第三分割图案，在所述栅电极结构中的在所述第三方向上相邻的第二栅电极结构之间在所述第二方向上交替地设置；以及 在所述栅电极结构上的第一支撑层，其中所述第一支撑层在与所述第一分割图案的上部部分和所述第二分割图案的上部部分相同的高度处，并且接触所述第一分割图案的所述上部部分和所述第二分割图案的所述上部部分， 其中，在平面图中，所述第一分割图案的所述上部部分和所述第二分割图案的所述上部部分在所述第二方向上以Z字形图案布置， 其中所述第三分割图案在所述第一方向上与所述第二分割图案的所述上部部分间隔开并重叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。