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龙图腾网获悉万华化学集团电子材料有限公司申请的专利基于单晶硅片的可调式磨削装置及用于单晶硅片的磨削加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112222989B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011036777.5，技术领域涉及：B24B7/22；该发明授权基于单晶硅片的可调式磨削装置及用于单晶硅片的磨削加工方法是由冯帆;胡碧波;代冰;黄德智;周霖;王洪武设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于单晶硅片的可调式磨削装置及用于单晶硅片的磨削加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于单晶硅片的可调式磨削装置及单晶硅片的磨削加工方法，适用于精磨加工或常规磨削加工后经检测硅片面型不达标的小批次再加工。在磨削加工中，根据位移传感器可视化曲线、硅片面型参数的在线测量结果，传递信号至装置内部位移传感器嵌入式驱动装置及各可调式支撑轴的液压式方向控制回路，通过控制信号使加工中发生倾斜的磨削盘水平、使各支撑轴独立并精确地调节磨削面型的凸凹度δ和饱满度ε，确保加工后的硅片具有高竞争力的质量和精度。

本发明授权基于单晶硅片的可调式磨削装置及用于单晶硅片的磨削加工方法在权利要求书中公布了：1.一种基于单晶硅片的可调式磨削装置，其特征在于，所述装置包含硅片主轴调整构件、砂轮主轴调整构件和面型测量构件； 所述硅片主轴调整构件包括承载转台、硅片主轴、磨盘支撑轴和磨削盘；所述承载转台位于最底部，在承载转台上同轴安装有硅片主轴、以及外围同一圆周上间隔120°均布的3个磨盘支撑轴，所述磨削盘由磨盘支撑轴A1、A2、A3和硅片主轴共同支撑；其中，所述磨盘支撑轴A1、A2为固定支撑，磨盘支撑轴A3为可调支撑；在所述磨削盘外侧边缘和内侧边缘且同一径向处分别安装有位移传感器，所述位移传感器在磨削过程中随时监测所处位置高度，并传递信号至位移传感器驱动装置，驱动磨削盘外侧边缘和或内测边缘位置高度上浮或下调，缩小磨削盘外侧边缘和内侧边缘位置高度差值，控制磨削盘的形位误差； 所述砂轮主轴调整构件包括金刚石砂轮、砂轮主轴、砂轮主轴座、主轴座支撑轴；所述金刚石砂轮安装在砂轮主轴下端，砂轮主轴轴段套设于砂轮主轴座内，且砂轮主轴轴段与砂轮主轴座同轴心，3个主轴座支撑轴安装在砂轮主轴座和砂轮主轴上轴肩之间，且在同一圆周上120°间隔均布，其中主轴座支撑轴B1、B2为固定支撑，主轴座支撑轴B3为可调支撑； 所述面型测量构件，位于砂轮主轴上轴肩的下端； 以放置于磨削盘上的硅片中心为坐标原点O，安装在砂轮主轴下端的金刚石砂轮进行磨削加工时，在任一位置时硅片中心与金刚石砂轮边缘和硅片边缘交点C连线为纵坐标y轴，过硅片中心与纵坐标y轴垂直的连线为横坐标x轴，过硅片中心且垂直于xoy平面的连线为纵坐标z轴；设定硅片旋转半径R0、金刚石砂轮半径R1，建立基于硅片中心-交点连线的坐标系，在此坐标系下，x轴与硅片远离金刚石砂轮端硅片边缘的交点为A3，A1、A2在以坐标原点O为圆心、R0为半径的圆周上与A3间隔120°均布；垂直于x轴且经过金刚石砂轮中心O1的垂线与远离x轴的砂轮边缘的交点为B3，B1、B2在以坐标原点O1为圆心、R1为半径的圆周上与B3间隔120°均布； 在此坐标系下，设定yoz平面内金刚石砂轮轴线与硅片轴线的夹角，即绕x轴的摆动角为α，设定xoz平面内金刚石砂轮轴线与硅片轴线的夹角，即绕y轴的摆动角为β，则所述坐标系下硅片凸凹度δ以及饱满度ε满足： δ＝R0·tanα 所述位移传感器驱动装置设有单向阀锁紧的液压式方向控制回路，位移传感器所监测位置高度变化时，传递信号至三位四通电磁阀，改变液压回路流向，从而使活塞式液压缸推动磨削盘内外侧边缘进行相应调整； 所述面型测量构件将监测到的面型变化信号传递至驱动装置，所述驱动装置为与位移传感器驱动装置同一液压马达下、另设有节流阀控制的换向阀中位机能卸荷回路，根据传递面型变化信号至电磁阀并改变液压回路流向，从而驱动可调式磨盘支撑轴A3及可调式主轴座支撑轴B3进行高度调整。

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