晶旺半导体(山东)有限公司朱贵武获国家专利权
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龙图腾网获悉晶旺半导体(山东)有限公司申请的专利氮化镓晶圆级晶背散热结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224084050U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520685788.8，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型氮化镓晶圆级晶背散热结构是由朱贵武;卢旋瑜;徐伟伟;李永鑫设计研发完成，并于2025-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓晶圆级晶背散热结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种氮化镓晶圆级晶背散热结构，属于半导体制造技术领域，包括减薄晶圆，减薄晶圆的背面上覆盖有格栅状的护层，护层作为切割道，护层是厚度为10‑30um的PI层；护层的格栅孔内填有金属层，金属层作为散热层，金属层是厚度为10‑30um的金属银层，金属层底部与减薄晶圆的背面相连接；护层由外围的圆形段以及内部多个垂直交错设置的水平段和竖直段组成，水平段和竖直段均匀分布，水平段与竖直段之间形成阵列式分布的多个填充孔。本实用新型提供的氮化镓晶圆级晶背散热结构，可以在减薄后的晶圆背面覆盖护层作为切割道，再填入金属层作为散热层，不仅可以利用厚金属层加速芯片的导热与散热，还可以避免出现切割破裂问题。
本实用新型氮化镓晶圆级晶背散热结构在权利要求书中公布了：1.氮化镓晶圆级晶背散热结构，其特征在于：包括减薄晶圆1，减薄晶圆1的背面上覆盖有格栅状的护层3，护层3作为切割道，护层3的厚度为10-30um；护层3的格栅孔内填有金属层2，金属层2作为散热层，金属层2的厚度为10-30um，金属层2底部与减薄晶圆1的背面相连接。
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