重庆万国半导体科技有限公司涂国华获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆万国半导体科技有限公司申请的专利一种高耐压的沟槽型MOSFET结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224083957U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520488977.6，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种高耐压的沟槽型MOSFET结构是由涂国华;王小蓉设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高耐压的沟槽型MOSFET结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种高耐压的沟槽型MOSFET结构，包括N+衬底、N‑漂移区、P型基区、源极金属和漏极金属，所述P型基区设置有沟槽栅结构，所述沟槽栅结构的底部与N‑漂移区之间通过一N型区连接；所述P型基区的上部对应沟槽栅结构的两侧分别设置有一N+源区，所述N+源区远离沟槽栅结构的一侧设置有P+区；所述沟槽栅结构的上端覆盖有层间介质层。本实用新型中，P型基区完全包裹住沟槽栅结构，并在沟槽底部形成一个N型区实现沟槽栅结构和N‑漂移区的连接，这样不仅能减少栅漏电荷提高开关速度而且能减小沟槽底部电场，从而可以有效保护栅氧层，提高可靠性。
本实用新型一种高耐压的沟槽型MOSFET结构在权利要求书中公布了：1.一种高耐压的沟槽型MOSFET结构，其特征在于：包括从下至上依次设置的N+衬底、N-漂移区和P型基区，所述P型基区设置有沟槽栅结构，所述沟槽栅结构的底部与N-漂移区之间通过一N型区连接；所述P型基区的上部对应沟槽栅结构的两侧分别设置有一N+源区，所述N+源区远离沟槽栅结构的一侧设置有P+区；所述沟槽栅结构的上端覆盖有层间介质层，所述层间介质层、N+源区和P+区的上端设置有源极金属，所述N+衬底的下端设置有漏极金属。
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