深圳市健思研科技有限公司黄昌纯获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市健思研科技有限公司申请的专利无泄漏电流半导体继电器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224083520U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520887807.5，技术领域涉及：H03K17/51；该实用新型无泄漏电流半导体继电器是由黄昌纯设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本无泄漏电流半导体继电器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及继电器的技术领域，公开了无泄漏电流半导体继电器，包括半导体开关G、机械开关K1以及机械开关K2,所述机械开关K1的一端与电源电连接，所述机械开关K1的另一端与机械开关K2的一端电连接，所述机械开关K2的另一端用于与负载电路电连接，所述半导体开关G与所述机械开关K1并联。实现了无泄漏电流和低损耗的开关操作，避免了拉弧现象，延长了继电器的使用寿命，确保无电流通过机械继电器，避免了拉弧和电压尖峰。通过半导体开关的快速开关特性和分步操作逻辑，显著降低了关闭状态下的泄漏电流，几乎实现了无泄漏电流的目标，减少了发热源，简化了散热设计，提高了器件的热管理效率。
本实用新型无泄漏电流半导体继电器在权利要求书中公布了：1.无泄漏电流半导体继电器，其特征在于，包括半导体开关G、机械开关K1以及机械开关K2,所述机械开关K1的一端与电源电连接，所述机械开关K1的另一端与机械开关K2的一端电连接，所述机械开关K2的另一端用于与负载电路电连接，所述半导体开关G与所述机械开关K1并联。
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