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龙图腾网获悉成都芯盛集成电路有限公司申请的专利一种基于人工智能的NAND Flash坏块管理方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120406834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510437322.0，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种基于人工智能的NAND Flash坏块管理方法及系统是由何姣阳;李毓佛;杨万云设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于人工智能的NAND Flash坏块管理方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于人工智能的NANDFlash坏块管理方法及系统，属于固态存储技术领域，所述方法包括以下步骤：S1、基于预设参数和预设指标对坏Page进行多维度数据采集并进行预处理；S2、将预处理后的多维度数据输入到时空图卷积网络模型中，输出每个Page的失效概率；S3、根据步骤S2获得的失效概率，确定分级隔离策略，之后进行纠错码动态加载和预防性数据迁移。本发明提升了存储利用率：实测显示，在出现单个坏页的Block中，可回收利用85%以上的正常Page，较传统方案提升10倍有效容量；通过减少因局部坏页导致的整块废弃，芯片整体寿命延长约30%。还具有实时风险管控的功能，AI模型对潜在风险区域的预测准确率达92%，较静态隔离方案降低70%的二次故障率。

本发明授权一种基于人工智能的NAND Flash坏块管理方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于人工智能的NANDFlash坏块管理方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、基于预设参数和预设指标对坏Page进行多维度数据采集，Page表示页，为‌执行读操作的最小单元，之后对采集到的多维度数据进行预处理； S2、训练时空图卷积网络模型，加载出已经训练好的时空图卷积网络模型，将预处理后的多维度数据输入到时空图卷积网络模型中，时空图卷积网络模型通过图卷积层和时间卷积层对预处理后的多维度数据进行特征提取和转换，输出每个Page的失效概率； S3、根据步骤S2获得的失效概率，确定直接影响区域和潜在风险区域，对于直接影响区域的Page，对其采取隔离措施，禁止读写操作；对于潜在风险区域的Page，允许读取但限制写入，并启动实时健康度监测；同时，将剩余正常Page进行跨块空间重组，形成虚拟块，用于最大化存储空间的利用率；之后进行纠错码动态加载和预防性数据迁移； 步骤S1具体包括以下子步骤： S11、物理特征采集，获取并存储坏页的三维坐标和相邻Page的耦合电容测量值，获得物理特征数据； S12、电气特征采集，测量并记录坏页的阈值电压分布畸变和读取失败时的电压偏移量，获得电气特征数据； S13、环境特征采集：记录并保存操作时的温度和供电电压波动，获得环境特征数据； S14、时序关联分析，收集坏页前后Block的操作历史，包括擦写次数、读取频次和相邻Page的编程顺序，获得时序关联数据；Block表示块，由多个页组成，为擦除操作的最小可寻址单元。

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