合肥芯碁微电子装备股份有限公司王克获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥芯碁微电子装备股份有限公司申请的专利应用于直写光刻机的纠偏对位方法及装置、介质和光刻机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510148769.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权应用于直写光刻机的纠偏对位方法及装置、介质和光刻机是由王克;程建高设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用于直写光刻机的纠偏对位方法及装置、介质和光刻机在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于直写光刻机的纠偏对位方法及装置、介质和光刻机，其中，应用于直写光刻机的纠偏对位方法包括：在介质层有纠偏需求时，获得芯片层中各芯片对应介质层中芯片理论图案的分区刚性变换参数，分区刚性变换参数包括位移；基于各芯片对应介质层中芯片理论图案的位移获得迭代位移步长；基于迭代位移步长修正各芯片对应介质层中芯片理论图案的位置，直至介质层与芯片层满足第一条件，其中，在修正时介质层中芯片理论图案沿位移的向量方向移动，向量方向为从介质层上芯片理论图案的中心坐标到芯片层对应芯片的中心坐标的方向。本发明的方法提高了多芯片封装工艺中的对位精度，修正了因贴片误差导致的图案对位不精确的情况。
本发明授权应用于直写光刻机的纠偏对位方法及装置、介质和光刻机在权利要求书中公布了：1.一种应用于直写光刻机的纠偏对位方法，其特征在于，包括： 在第一曝光工序中，芯片层与介质层进行对位以满足第一条件，所述第一条件包括介质层图案与芯片层图案的最大套刻圆心距小于第一圆心距阈值； 在所述介质层有纠偏需求时，获得所述芯片层中各芯片对应所述介质层中芯片理论图案的分区刚性变换参数，所述分区刚性变换参数包括位移，其中，所述位移是基于所述芯片层中各芯片的实际对位标记点的坐标信息，与所述介质层中芯片理论图案的预定坐标信息计算得到的； 基于所述各芯片对应所述介质层中芯片理论图案的位移获得所述各芯片对应的迭代位移步长； 基于所述迭代位移步长修正所述各芯片对应所述介质层中芯片理论图案的位置，直至所述介质层与所述芯片层满足所述第一条件，其中，在修正时，所述各芯片对应所述介质层中芯片理论图案沿对应所述位移的向量方向移动，所述向量方向为从所述介质层上芯片理论图案的中心坐标到所述芯片层对应芯片的中心坐标的方向。
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