苏州能讯高能半导体有限公司李元获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利栅极结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118352385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310064817.4，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权栅极结构及其制备方法是由李元设计研发完成，并于2023-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本栅极结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅极结构及其制备方法。栅极结构包括：层叠设置的接触金属层、连接柱和栅极主体；其中，所述接触金属层包括肖特基接触部和边缘部；所述肖特基接触部与半导体层形成肖特基接触；所述边缘部与所述半导体层之间设置有至少一层第一钝化层；所述栅极主体和所述接触金属层之间设置有至少一层第二钝化层；所述第二钝化层设置有第一开口；所述连接柱填充于所述第一开口内，连接所述接触金属层和所述栅极主体。本发明实施例以较低的工艺成本和难度，改善了栅极周围半导体材料的热机械应力，以及改善了栅极和半导体材料的寄生电容，提升了器件性能。
本发明授权栅极结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种栅极结构，其特征在于，包括：层叠设置的接触金属层、连接柱和栅极主体； 其中，所述接触金属层包括肖特基接触部和边缘部；所述肖特基接触部与半导体层形成肖特基接触；所述边缘部与所述半导体层之间设置有至少一层第一钝化层； 所述栅极主体和所述接触金属层之间设置有至少一层第二钝化层；所述第二钝化层设置有第一开口；所述连接柱填充于所述第一开口内，连接所述接触金属层和所述栅极主体； 所述接触金属层与源极场板的位置关系为，所述接触金属层在所述半导体层上的投影与所述源极场板在所述半导体层上的投影存在交叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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