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龙图腾网获悉华中科技大学;杭州海康威视数字技术股份有限公司申请的专利一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117800397B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311872452.4，技术领域涉及：C01G41/02；该发明授权一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器是由李华曜;刘欢;浦世亮;王鹏;毛慧;李龙;蔡宏;马强;郭世嵩;张世峰设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器，属于传感器领域，先将钨的前驱体溶解在溶剂中，得到清澈透明的溶液，再向清澈透明的溶液中加入增敏材料前驱体，获得均匀的混合溶液，将混合溶液置于反应器中，然后离心分离获得固体反应物，将固体反应物清洗后烘干，接着，将金属纳米颗粒溶解在去离子水中，将单原子金属增敏处理的氧化钨半导体气敏材料加入其中反应，采用离心分离收集产物，将产物清洗后干燥，获得单原子和金属纳米颗粒两者同时增敏处理的双功能位点氧化钨半导体气敏材料。本发明还提供制备如上气敏材料的方法以及气体传感器。本发明能解决现有的氧化物半导体气体传感响应迟缓、相应弱以及稳定性不足的问题。

本发明授权一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器在权利要求书中公布了：1.一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法，其特征在于，首先执行单原子增敏处理，然后执行纳米颗粒增敏处理， 单原子增敏处理中，首先，将钨的前驱体溶解在溶剂中，得到清澈透明的溶液，再向所述清澈透明的溶液中加入增敏材料前驱体，获得均匀的混合溶液，混合溶液在160℃～220℃范围内反应14h～24h，然后进行离心分离获得固体反应物，将固体反应物清洗后烘干，获得单原子金属增敏处理的氧化钨半导体气敏材料， 或者单原子增敏处理中，首先，煅烧钨酸铵得到氧化钨粉末，然后，将氧化钨粉末加入增敏材料前驱体溶液中，在160℃～220℃范围内反应14h～24h，然后进行离心分离获得固体反应物，将固体反应物清洗后烘干，获得单原子金属增敏处理的氧化钨半导体气敏材料， 单原子金属用作催化剂，所述增敏材料前驱体选自硝酸铜、硝酸钴、氯化锰、氯化钯和氯铂酸， 纳米颗粒增敏处理中，首先，将金属纳米颗粒溶解在去离子水中，然后将所述单原子金属增敏处理的氧化钨半导体气敏材料加入其中，进行混合反应，接着采用离心分离收集产物，将产物进行清洗后真空干燥，获得单原子和金属纳米颗粒两者同时增敏处理的双功能位点氧化钨半导体气敏材料。

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