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龙图腾网获悉武汉万度光能研究院有限责任公司申请的专利一种提高激光刻蚀精度的方法及激光刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117754150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410115912.7，技术领域涉及：B23K26/362；该发明授权一种提高激光刻蚀精度的方法及激光刻蚀设备是由盛余松;董玉洁;陈夏岩;蒋友宇设计研发完成，并于2024-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高激光刻蚀精度的方法及激光刻蚀设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高激光刻蚀精度的方法及激光刻蚀设备，属于电池技术领域，解决了现有激光刻蚀设备刻蚀精度较低、太阳能电池有效利用面积较小的问题。该方法包括：提供一电池片；通过激光刻蚀设备的至少一台振镜装置对电池片刻蚀，得到多组定位点；根据多组定位点的坐标控制激光刻蚀设备的工作台旋转或平移，对固定在工作台上的电池片进行拼接刻蚀，并对电池片的位置偏差进行校正。本发明的技术方案具有较高的刻蚀精度，增大了太阳能电池刻蚀的有效面积，提高了太阳能电池的转换效率。

本发明授权一种提高激光刻蚀精度的方法及激光刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种提高激光刻蚀精度的方法，其特征在于，包括： 提供一电池片16； 通过激光刻蚀设备的至少一台振镜装置3对所述电池片16刻蚀，得到多组定位点； 激光刻蚀设备的CCD系统对多组定位点的坐标进行识别，得到多组定位点的坐标； 根据所述多组定位点的坐标控制所述激光刻蚀设备的工作台5旋转或平移，每台所述振镜装置3中最多控制一个轴向电机来改变激光束15的刻蚀位置，对固定在所述工作台5上的所述电池片16进行拼接刻蚀，并对所述电池片16的位置偏差进行校正； 其中，在所述多组定位点中，一组定位点至少包括4个定位点，分别为第一定位点、第二定位点、第三定位点和第四定位点； 所述第一定位点和所述第二定位点之间的连线与所述第三定位点和所述第四定位点之间的连线相互垂直； 所述第一定位点和所述第二定位点的坐标用于控制所述工作台5的旋转或平移，所述第三定位点和所述第四定位点的坐标用于控制所述振镜装置3激光束15的刻蚀位置； 其中，所述激光刻蚀设备在电池片16上每次进行刻蚀的区域范围由所述激光刻蚀设备的透镜4的焦距数值决定，所述激光刻蚀设备通过多次拼接刻蚀实现对整个电池片16的刻蚀。

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