中国科学院合肥物质科学研究院;阜阳师范大学;安徽昊源化工集团有限公司黄行九获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院;阜阳师范大学;安徽昊源化工集团有限公司申请的专利基于高分散MoS2的单片式镉离子选择性电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117702093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311554125.4，技术领域涉及：C23C18/12；该发明授权基于高分散MoS2的单片式镉离子选择性电极及其制备方法是由黄行九;蔡鑫;夏瑞泽;刘子豪;李培华;杨猛;李慧泉;崔玉民;凡殿才;高明林;吴珍汉;于信誉设计研发完成，并于2023-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于高分散MoS2的单片式镉离子选择性电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于亲脂性高分散二硫化钼的单片式镉离子选择性电极及其制备方法，步骤主要包括：制备钼源和硫源的混合液→将混合液和长链烷基混合，得到产物A→将产物A加入离子选择性膜溶液中→浇筑电极上，通风、蒸发后即得单片式镉离子选择性电极。通过表面层间调控二硫化钼的电容及表面润湿性，实现了高亲脂性二硫化钼材料的超疏水及高电容特性，同时在膜的关键流动组分中显示出较高的分散性。本发明所设计的高分散性膜组分材料为全固态离子选择性电极的简化制造提供了的可替代方法，同时为批量化生产提供了新思路。
本发明授权基于高分散MoS2的单片式镉离子选择性电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高分散MoS2的单片式镉离子选择性电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将硫脲、无水钼酸钠和去离子水按照18：6：5-6的摩尔比混合，在室温下磁力搅拌至澄清，得到第一混合溶液； S2、向所述的第一混合溶液中加入长链烷基，充分搅拌并消泡，于220-280°C条件下充分反应并冷却至室温，得到黑色反应物；将所述的黑色反应物洗涤、离心沉淀、干燥，得到产物A； S3、将所述产物A加入离子选择性膜溶液中，经过超声处理，得到均匀的第二混合溶液； S4、将所述第二混合溶液均匀浇筑在裸电极上，经通风、蒸发后，即得基于高分散MoS2的单片式镉离子选择性电极； 所述长链烷基为十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基溴化铵中的至少一种。
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