买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥联诺科技股份有限公司申请的专利一种片内高精度时钟基准源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117453002B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311574263.9，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种片内高精度时钟基准源电路是由胡燕;黄纪业设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片内高精度时钟基准源电路在说明书摘要公布了：本发明涉及单片机时钟，具体涉及一种片内高精度时钟基准源电路，包括PTAT产生电路、参考电压产生电路和时钟源振荡器；PTAT产生电路，用于产生一个随温度变化的PTAT电流；参考电压产生电路，基于PTAT电流产生一个随温度变化的基准电压，补偿频率随温度变化产生的漂移；时钟源振荡器，利用LC振荡电路产生所需时钟频率；本发明提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的不能很好地补偿频率随温度变化产生的漂移、无法精准控制时钟精度，以及成本较高的缺陷。

本发明授权一种片内高精度时钟基准源电路在权利要求书中公布了：1.一种片内高精度时钟基准源电路，其特征在于：包括PTAT产生电路、参考电压产生电路和时钟源振荡器； PTAT产生电路，用于产生一个随温度变化的PTAT电流； 参考电压产生电路，基于PTAT电流产生一个随温度变化的基准电压，补偿频率随温度变化产生的漂移； 时钟源振荡器，利用LC振荡电路产生所需时钟频率； 所述PTAT产生电路包括NMOS管NM0、NM1，PMOS管PM0、PM1、PM3、PM4，以及电阻R6、R7； 所述NMOS管NM0的栅极连接NMOS管NM0的漏极、NMOS管NM1的栅极和时钟源振荡器，所述NMOS管NM0的源极通过电阻R6连接NMOS管NM1的源极，所述NMOS管NM0的源极连接参考电压产生电路、时钟源振荡器，所述NMOS管NM0的漏极连接PMOS管PM3的漏极； 所述PMOS管PM3的栅极连接PMOS管PM4的栅极、参考电压产生电路，所述PMOS管PM3的源极连接PMOS管PM0的漏极； 所述PMOS管PM0的栅极连接PMOS管PM1的栅极、参考电压产生电路，所述PMOS管PM0的源极连接PMOS管PM1的源极、参考电压产生电路和时钟源振荡器； 所述NMOS管NM1的漏极通过电阻R7连接PMOS管PM4的漏极，所述NMOS管NM1的漏极连接PMOS管PM4的栅极； 所述PMOS管PM4的漏极连接PMOS管PM1的栅极，所述PMOS管PM4的源极连接PMOS管PM1的漏极； 所述参考电压产生电路包括PMOS管PM2、PM5，以及可编程电阻R5； 所述PMOS管PM2的栅极连接PMOS管PM0、PM1的栅极、PMOS管PM5的漏极和时钟源振荡器，所述PMOS管PM2的源极连接PMOS管PM0、PM1的源极和时钟源振荡器，所述PMOS管PM2的漏极连接PMOS管PM5的源极； 所述PMOS管PM5的栅极连接PMOS管PM3、PM4的栅极，所述PMOS管PM5的漏极通过可编程电阻R5连接NMOS管NM0的源极、电阻R6和时钟源振荡器； 所述时钟源振荡器包括隔直电阻R1、R2、R3、R4，振荡器增益管PM6、PM7、NM2、NM3，隔直电容Cp0、Cp1、Cn0、Cn1，振荡器频率编程电容C0、C1、…、Cn，振荡器电感L，以及可变电容C； 隔直电阻R1、R2、R3、R4，用于给振荡器增益管PM6、PM7、NM2、NM3提供DC工作点，并且隔开PMOS管PM0、PM1、PM3、PM4的噪声，保证振荡器工作在最优区间； 振荡器增益管PM6、PM7、NM2、NM3，需要工作在最优区间，以提供更高的增益、更低的噪声； 隔直电容Cp0、Cp1、Cn0、Cn1，将时钟源振荡器的Voutn、Voutp的直流与振荡器增益管PM6、PM7、NM2、NM3的直流隔开，减少振荡器增益管PM6、PM7、NM2、NM3的直流对Voutn、Voutp的影响，保证振荡器输出直流在一个比较好的区间； 振荡器频率编程电容C0、C1、…、Cn，通过编程优化改变频率，使得振荡器达到目标频率； 可变电容C，随基准电压微调以改变振荡器频率，即，进而用随温度变化的基准电压补偿LC谐振随温度变化发生的频率偏移。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥联诺科技股份有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F区1幢2105；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。