西安电子科技大学韩根全获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有优异界面特性的氧化镓肖特基二极管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117393440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311433782.3，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种具有优异界面特性的氧化镓肖特基二极管的制造方法是由韩根全;於春晓;胡浩东;刘艳设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有优异界面特性的氧化镓肖特基二极管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体功率器件技术领域，特别涉及一种具有优异界面特性的氧化镓肖特基二极管的制造方法。本发明通过在氧化镓外延层表面刻蚀去除表面杂质和污染，然后进行刻蚀修复和再次表面处理，最后对制造阳极后的氧化镓肖特基二极管在氮气氛围中进行300℃‑350℃的后退火处理。显著钝化了金属Ni和氧化镓界面的缺陷，极大减弱了费米钉扎的不利影响，提高了势垒均匀性，使得器件正向特性几乎理想：理想因子为1.00，亚阈值摆幅为理想值60mVdec，并且显著提高了器件的击穿电压和稳定性。
本发明授权一种具有优异界面特性的氧化镓肖特基二极管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有优异界面特性的氧化镓肖特基二极管的制造方法，其特征在于：包括以下步骤： S1：提供重掺杂氧化镓衬底，在其上形成轻掺杂氧化镓外延层； S2：用有机清洗溶液和无机清洗溶剂清洗所述轻掺杂氧化镓外延层表面； S3：对所述轻掺杂氧化镓外延层表面进行电感耦合等离子体刻蚀处理； S4：对刻蚀后的轻掺杂氧化镓外延层表面进行刻蚀修复处理；所述刻蚀修复处理采用重量比例为H2SO4:H2O2=3:1的无机清洗溶剂以及四甲基氢氧化铵进行处理； S5：在背面欧姆接触工艺之前，在器件的正面淀积保护材料Si片；在所述重掺杂氧化镓衬底背面溅射阴极金属层TiAu，接着进行欧姆退火处理； S6：用四甲基氢氧化铵去除保护材料Si片；用溶剂处理氧化镓外延层表面； S7：制造氧化镓肖特基二极管的阳极； S8：对制造阳极后的氧化镓肖特基二极管进行阳极后退火处理；阳极后退火处理在氮气氛围下进行，退火温度为250～350℃。
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