清华大学林元华获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利铋氧硒薄膜及其制备方法和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117328021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311279323.4，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权铋氧硒薄膜及其制备方法和用途是由林元华;许于帅;郑云鹏;易迪;周志方设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本铋氧硒薄膜及其制备方法和用途在说明书摘要公布了：本申请公开了铋氧硒薄膜及其制备方法和用途。制备铋氧硒薄膜的方法包括：提供铋氧硒靶材；将所述铋氧硒靶材置于沉积腔体中，将沉积腔体抽真空至真空度小于或等于1×10‑4Pa，衬底温度升至400℃～500℃并保温，脉冲激光照射到所述铋氧硒靶材上，在所述铋氧硒靶材上形成椭圆形光斑，使所述铋氧硒靶材产生等离子体并在衬底上形成铋氧硒薄膜。通过在靶材上形成椭圆形光斑，可以得到具有一定长宽比的矩形铋氧硒薄膜，该薄膜面积较大，且成分均匀、厚度均匀；制备过程中，还可以通过调控脉冲激光的能量密度有效地改变薄膜中的缺陷含量；利用上述方法可以实现较大面积铋氧硒薄膜的可控制备，有利于得到高质量的铋氧硒薄膜，该铋氧硒薄膜可以用作热电材料。
本发明授权铋氧硒薄膜及其制备方法和用途在权利要求书中公布了：1.一种制备铋氧硒薄膜的方法，其特征在于，包括： 提供铋氧硒靶材； 将所述铋氧硒靶材置于沉积腔体中，将沉积腔体抽真空至真空度小于或等于1×10-4Pa，衬底温度升至400℃~500℃并保温，脉冲激光照射到所述铋氧硒靶材上，在所述铋氧硒靶材上形成椭圆形光斑，使所述铋氧硒靶材产生等离子体并在衬底上形成铋氧硒薄膜； 入射至所述沉积腔体中的所述脉冲激光的能量密度为45mJcm-2至70mJcm-2。
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