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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种双腔体超表面非制冷红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117276388B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311101060.8，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权一种双腔体超表面非制冷红外探测器及其制备方法是由杨君;杨春丽;李立华;石玉娜;方辉;张杰;王懿;黎秉哲;李华妮;尹树东;刘春艳;赵宇鹏;曹中鹏;宋宇宇设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双腔体超表面非制冷红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双腔体超表面非制冷红外探测器及其制备方法，探测器包括衬底和探测器本体，探测器本体包括两个共振腔结构。第一共振腔体结构包括反射层、介质层、电连接结构、第一腔体体支撑层、热敏层、热敏保护层、光谱调节层和超表面吸收结构。第二共振腔体结构包括支撑层和超表面天线结构，第二腔体的支撑层和超表面天线结构共同构成第二腔体超表面吸收结构，第一腔体超表面吸收结构采用“MIM”夹层结构，第二腔体超表面吸收结构采用“IMI”结构。该双腔体超表面非制冷红外探测器有效改善了常见的“伞”状双层非制冷探测器光敏层吸收热量不均匀的问题，能够大大增强非制冷探测器吸收率，实现双波段宽光谱吸收。

本发明授权一种双腔体超表面非制冷红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双腔体超表面非制冷红外探测器，其特征在于： 所述双腔体超表面非制冷红外探测器包括半导体衬底1、读出电路2和探测器本体，所述探测器本体包括自下而上依次设置的第一腔体结构和第二层腔体结构； 所述第一腔体结构包括第一层腔体主体，所述第一层腔体主体由位于下方的反射层3、位于中间的介质层4、位于介质层4正上方的第一腔体支撑层5以及位于第一层腔体主体左右两端的用于连接介质层4和第一腔体支撑层5的电连接结构组成；所述反射层3设置在半导体衬底上，所述介质层4设置在反射层3上； 所述第一腔体结构还包括设置在第一腔体支撑层5上的热敏层10、设置在热敏层10上的热敏保护层11、设置在热敏保护层11上的光谱调节层12以及设置在光谱调节层12上的“MIM”超表面吸收层； 所述第二层腔体结构包括第二腔体支撑层16和第二腔体超表面天线结构，所述第二腔体支撑层16上设有“MI”超表面吸收天线结构，所述第二腔体支撑层16和第二腔体超表面天线结构共同构成第二腔体“IMI”超表面吸收结构； 所述“MIM”超表面吸收层的膜系为TiSiNxTi夹层，底层Ti为超薄连续膜，用于将上层所述“IMI”超表面吸收结构吸收的热量通过热敏保护层11和光谱调节层12均匀的传递到所述热敏层10上，底层Ti上设有块状或圆柱状的SiNxTi膜系天线，所述“MIM”超表面吸收层包括依次设置的“MIM”超表面底层Ti超薄连续膜13、“MIM”超表面中间介质天线层14和“MIM”超表面上层Ti天线层15；所述超薄连续膜的厚度为5nm—10nm； 还包括用于将所述“IMI”超表面吸收结构吸收的热量通过传到下层的第二腔体超表面天线结构导热层17，所述第二腔体超表面天线结构导热层17又由第二腔体超表面天线结构导热保护层18保护；所述第二腔体“IMI”超表面吸收结构包括第二腔体支撑层16和所述的“MI”超表面吸收天线结构，所述“MI”超表面吸收天线结构包括“MI”超表面吸收天线结构中间Ti天线层19和“MI”超表面吸收天线结构上层SiNx层20，所述“MI”超表面吸收天线结构为块状或圆柱状的TiSiNx膜系天线。

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