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龙图腾网获悉西北有色金属研究院申请的专利一种Pd/(TaHfNbZr)N/TaZr复合膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117065582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311285369.7，技术领域涉及：B01D71/02；该发明授权一种Pd/(TaHfNbZr)N/TaZr复合膜及其制备方法是由李广忠;李亚宁设计研发完成，并于2023-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Pd/(TaHfNbZr)N/TaZr复合膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PdTaHfNbZrNTaZr复合膜，包括TaZr层以及依次沉积在TaZr层上的TaHfNbZrN膜层和Pd膜层；该复合膜的制备方法为：一、熔炼制备TaZr合金；二、机械加工得到TaZr合金片；三、磁控溅射法结合氮化形成TaHfNbZrN膜层；四、磁控溅射法沉积Pd催化籽晶；五、化学镀Pd得到多层膜；六、退火处理。本发明通过设置TaZr层获得更优的渗氢性能，并在TaZr层与Pd膜层之间设置TaHfNbZrN膜层，抑制了TaZr层与Pd膜层界面处的互扩散，提高了复合膜的渗氢性能，延长了复合膜的使用寿命；本发明的制备艺简单，环境友好，适合大规模生产。

本发明授权一种Pd/(TaHfNbZr)N/TaZr复合膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PdTaHfNbZrNTaZr复合膜的制备方法，其特征在于，该PdTaHfNbZrNTaZr复合膜包括TaZr层以及依次沉积在TaZr层上的TaHfNbZrN膜层和Pd膜层，其中，Pd膜层的厚度为0.3μm~1.2μm，TaHfNbZrN膜层由TaHfNbZr高熵膜经氮化获得，厚度为0.05μm~0.15μm，TaZr层中Zr的质量百分比为1%~8%，该方法包括以下步骤： 步骤一、将钽豆与海绵锆混合均匀，然后利用电弧熔炼炉进行熔炼，获得TaZr合金； 步骤二、采用机械加工方法，将步骤一中获得的TaZr合金加工成厚度为0.3mm~1.0mm的薄片并打磨光亮，得到TaZr合金片； 步骤三、采用磁控溅射法在步骤二中得到的TaZr合金片表面制备TaHfNbZr膜层，然后进行氮化，形成TaHfNbZrN膜层； 步骤四、采用磁控溅射法在步骤三中形成的TaHfNbZrN膜层表面沉积Pd催化籽晶；所述沉积时间为10min~20min； 步骤五、在步骤四中沉积Pd催化籽晶的TaHfNbZrN膜层表面进行化学镀Pd，得到多层膜； 步骤六、将步骤五中得到的多层膜在氩气气氛保护、500℃±10℃下进行退火处理，得到PdTaHfNbZrNTaZr复合膜。

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