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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种MOF-802分离膜、制备方法及其在H2纯化中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117046320B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311063081.5，技术领域涉及：B01D69/10；该发明授权一种MOF-802分离膜、制备方法及其在H2纯化中的应用是由刘公平;余嘉丽;刘国振;张雅馨;金万勤设计研发完成，并于2023-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOF-802分离膜、制备方法及其在H2纯化中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOF‑802分离膜、制备方法及其在H2纯化中的应用；MOF‑802分离膜的制备方法包括如下步骤：制备MOF‑802晶种溶液；在支撑体表面沉积MOF‑802晶种层；诱导界面配位生长法在表面沉积有MOF‑802晶种层的支撑体表面生成MOF‑802膜层。本发明通过一种新颖的晶种诱导界面配位生长策略，证明了连续和交互生长的MOF‑802膜的构建。该方法可以避免反应液中MOF‑802的爆发成核和快速生长，从而在支撑体表面形成MOF‑802膜层。所制备的MOF‑802膜对H2CO2具有优异的分离性能，即使在原料气中存在水蒸气的情况下，H2的渗透率也能达到3270GPU，选择性达到19，展现了其在实际应用中纯化H2的巨大潜力。

本发明授权一种MOF-802分离膜、制备方法及其在H2纯化中的应用在权利要求书中公布了：1.一种MOF-802分离膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 制备MOF-802晶种溶液； 在支撑体表面沉积MOF-802晶种层； 诱导界面配位生长法在表面沉积有MOF-802晶种层的支撑体表面生成MOF-802膜层； 界面配位生长法包括如下步骤： 将金属源溶液、有机配体溶液分别置于多孔介质两侧，50-70℃下保温3-6h；离心收集金属源溶液侧沉淀后干燥作为MOF-802晶种；然后将MOF-802晶种分散至去离子水中后超声1-3h，得到MOF-802晶种溶液；其中，金属源溶液是将ZrOCl2-8H2O溶解于乙酸水溶液中得到，有机配体溶液是将3,5-吡唑二羧酸分散于乙酸的水溶液中得到； 在支撑体表面生成MOF-802膜层的具体方法为： 将金属源溶液、有机配体溶液分别置于表面沉积有MOF-802晶种层的支撑体两侧，升温并保温；然后将表面生成有MOF-802膜层的支撑体洗涤后干燥即可。

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