SK恩普士有限公司韩德洙获国家专利权
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龙图腾网获悉SK恩普士有限公司申请的专利半导体工艺用组合物和基板的抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116904119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310384135.1，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权半导体工艺用组合物和基板的抛光方法是由韩德洙;洪承哲;朴韩址;金桓铁;李亨株设计研发完成，并于2023-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺用组合物和基板的抛光方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体工艺用组合物和基板的抛光方法。所述半导体工艺用组合物包括：抛光颗粒，用氨基硅烷类化合物进行表面改性；铜腐蚀抑制剂，包含唑类化合物；铜表面保护剂，包含具有甜菜碱基和水杨基的化合物或其衍生物；及表面活性剂，在分子中含有氟；经过表面改性的所述抛光颗粒的表面具有氨基硅烷基团。根据本实施方式，可以更有效地进行抛光工艺，尤其，在适用于具有穿通电极的基板的抛光工艺时，可以使凹陷、腐蚀及突起等缺陷最小化。并且，在抛光在外部暴露有多个不同膜质的表面时，可以实现平坦抛光结果而没有各个膜质之间的厚度偏差。
本发明授权半导体工艺用组合物和基板的抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺用组合物，其中，包括： 抛光颗粒，用氨基硅烷类化合物进行表面改性， 铜腐蚀抑制剂，包含唑类化合物， 铜表面保护剂，包含具有甜菜碱基和水杨基的化合物或其衍生物，及 表面活性剂，在分子中含有氟； 所述半导体工艺用组合物的根据下述第1式的铜腐蚀抑制指数Er为8至15， 第1式： 在所述第1式中，indexC是根据下述第2式的值，Cab是在整个半导体工艺用组合物中含有的抛光颗粒的含量，Ps是在100重量份的所述抛光颗粒中的氨基硅烷类化合物的含量，Cab的单位为重量%，Ps的单位为重量份， 第2式： 在所述第2式中， 所述C1为在100重量份的整个半导体工艺用组合物中含有的抛光颗粒中的所述氨基硅烷类化合物的含量，C2为在100重量份的整个所述半导体工艺用组合物中含有的所述唑类化合物的含量，C3为在100重量份的整个所述半导体工艺用组合物中含有的所述铜表面保护剂的含量，C4为在100重量份的整个所述半导体工艺用组合物中含有的所述表面活性剂的含量，C1、C2、C3、C4的单位为重量份。
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