SK恩普士有限公司洪承哲获国家专利权
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龙图腾网获悉SK恩普士有限公司申请的专利半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116904118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310384103.1，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法是由洪承哲;明康植;朴韩址;韩德洙;崔容寿设计研发完成，并于2023-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法等。本实施方式的半导体工艺用组合物包括抛光颗粒和凹陷控制添加剂。所述凹陷控制添加剂包括第一凹陷控制添加剂和第二凹陷控制添加剂。所述第一凹陷控制添加剂包括具有甜菜碱基和水杨基的化合物或其衍生物，所述第二凹陷控制添加剂包括唑类化合物。基于100重量份的所述抛光颗粒，所述第一凹陷控制添加剂的含量为0.07重量份以上，基于100重量份的所述抛光颗粒，所述第二凹陷控制添加剂的含量为0.13重量份以下。根据本实施方式，可以更有效地执行抛光工艺，并且在对在外部暴露有多个不同膜质的表面进行抛光时，可以实现平坦抛光的表面而没有各个膜质之间的厚度偏差。
本发明授权半导体工艺用组合物和使用其的半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺用组合物，其中， 包括抛光颗粒和凹陷控制添加剂， 所述凹陷控制添加剂包括第一凹陷控制添加剂和第二凹陷控制添加剂， 所述第一凹陷控制添加剂包括具有甜菜碱基和水杨基的化合物或其衍生物，所述第二凹陷控制添加剂包括唑类化合物， 基于100重量份的所述抛光颗粒，所述第一凹陷控制添加剂的含量为0.07重量份以上， 基于100重量份的所述抛光颗粒，所述第二凹陷控制添加剂的含量为0.13重量份以下， 所述半导体工艺用组合物的根据下述第1式的值在0.4至0.7的范围内： 第1式： 在第1式中，CBS为基于100重量份的所述抛光颗粒的所述第一凹陷控制添加剂的含量，CAZ为基于100重量份的所述抛光颗粒的所述第二凹陷控制添加剂的含量，CBS和CAZ的单位为重量份， 所述半导体工艺用组合物还包括在分子内具有卤素基团的聚合物化合物。
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