天津大学王召获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种冷等离子体调控氧化铟表面缺陷和相态的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116835631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310733875.1，技术领域涉及：C01G15/00；该发明授权一种冷等离子体调控氧化铟表面缺陷和相态的方法是由王召;郭俊鑫;王振玉;侯宝红;郑静轩;孟大朋;张岸宇;杨紫坤;张小雨;李雨欣设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种冷等离子体调控氧化铟表面缺陷和相态的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种利用冷等离子体调控氧化铟表面缺陷和相态的方法，其生产方法主要是先将氧化铟前体氢氧化铟置于介质阻挡放电等离子体反应装置中，随后通入气体，施加高压电击穿气体放电，从而产生等离子体，等离子体中的高能电子使得氢氧化铟分解形成不同相态氧化铟的同时还能够使氧化铟晶格中的氧原子逸出，从而在氧化铟表面产生氧缺陷。本方法操作简便，条件温和，时间短，能耗低，环境友好，在材料领域有着良好的应用前景。
本发明授权一种冷等离子体调控氧化铟表面缺陷和相态的方法在权利要求书中公布了：1.一种冷等离子体调控氧化铟表面缺陷和相态的方法，包括以下步骤： 步骤1：将氢氧化铟置于等离子体反应釜中； 步骤2：将反应釜置于等离子体发生装置的两电极之间；所述的等离子体发生装置为介质阻挡放电装置； 步骤3：从反应釜一端通入等离子体发生气； 步骤4：调节等离子体发生装置放电功率，在工作电极上产生高压电，击穿介质气体，产生等离子体，作用于氢氧化铟10～60min；通过调整放电功率控制所得氧化铟产品的相态，放电功率为100～500V·A，所获得的氧化铟产品为六方相氧化铟；放电功率为1200～2000V·A，所获得的氧化铟产品为立方相氧化铟。
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