宜昌晶能富新材料有限公司罗立汉获国家专利权
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龙图腾网获悉宜昌晶能富新材料有限公司申请的专利一种半导体用电子级氢氟酸的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116835532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310837493.3，技术领域涉及：C01B7/19；该发明授权一种半导体用电子级氢氟酸的制备方法是由罗立汉;李程文;曾小春设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体用电子级氢氟酸的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体用电子级氢氟酸的制备方法，包括以下步骤：a.液态无水氟化氢原料经预热气化，气化后氟化氢依次经过一级氟化钠吸附柱、二级氟化钠吸附柱，使部分氟化钠转化为氟化氢钠，未吸附的尾气则通过氢氧化钠碱液进行吸收；b.将氟化钠吸附柱进行一段升温脱附游离水分以及四氟化硅气体，并保温1h；脱附的气体进入尾气吸收；c.将氟化钠吸附柱继续升温进行二段脱附氟化氢，并保温1h，使氟化氢钠分解成氟化氢高温气体；d.将步骤c氟化氢高温气体用超纯水进行吸收调配成氢氟酸粗品，再经膜过滤即得半导体用电子级氢氟酸。本发明生产工艺流程短，能耗低，同时吸附材料可循环利用，相较传统工艺，其生产成本更低，质量更优，经济效益显著。
本发明授权一种半导体用电子级氢氟酸的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体用电子级氢氟酸的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：取液态无水氟化氢原料进行预热气化，并在气化后使其依次经过一级氟化钠吸附柱、二级氟化钠吸附柱；将氟化钠吸附柱升温并进行一段脱附游离水分以及四氟化硅气体，并进行保温，脱附的气体进入尾气吸收；将氟化钠吸附柱继续升温并进行二段脱附氟化氢，并进行保温，使氟化氢钠分解成氟化氢高温气体；将得到的氟化氢高温气体用超纯水进行吸收调配成氢氟酸粗品，再经膜过滤即得半导体用电子级氢氟酸；在一级氟化钠吸附柱、二级氟化钠吸附柱中添加有高纯氟化钠，该高纯氟化钠为球形颗粒或片状，且纯度大于99.6％、二氧化硅含量低于0.1％、水分低于0.01％，一段脱附的升温温度为100～120℃，二段脱附温度为160～250℃。
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