豪威科技股份有限公司毛杜立获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利图像传感器对角隔离结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116805633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310272425.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器对角隔离结构是由毛杜立;王勤;比尔·潘;孙世宇;臧辉设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器对角隔离结构在说明书摘要公布了：本公开涉及图像传感器对角隔离结构。提供图像传感器、隔离结构及制造技术。一种图像传感器包含安置在衬底上的电磁辐射源、安置在所述衬底上且与电磁辐射源热耦合的像素阵列，以及在所述电磁辐射源与所述像素阵列之间安置在所述衬底上的隔离结构。所述隔离结构能够界定相对于所述像素阵列的横向轴定向在第一偏置上的第一反射表面及相对于所述横向轴定向在第二偏置上的第二反射表面。所述隔离结构能够经配置以通过将所述第一反射表面及所述第二反射表面对所述电磁辐射的第一反射与第二反射配对来衰减到达所述像素阵列的近端区的残余电磁辐射。
本发明授权图像传感器对角隔离结构在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其包括： 电磁辐射源，其安置在衬底上的外围区中； 像素阵列，其安置在所述衬底上的有源像素区中且与所述电磁辐射源热耦合；以及 隔离结构，其在所述电磁辐射源与所述像素阵列之间安置在所述衬底上的所述外围区中，所述隔离结构界定相对于所述像素阵列的横向轴定向在第一偏置上的第一反射表面及相对于所述横向轴定向在第二偏置上的第二反射表面， 其中所述隔离结构经配置以通过将所述第一反射表面及所述第二反射表面对所述电磁辐射的第一反射与第二反射配对来衰减到达所述像素阵列的近端区的残余电磁辐射，且其中所述隔离结构包括对角隔离结构阵列，所述对角隔离结构包括对角隔离结构的第一子集及对角隔离结构的第二子集。
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