东科半导体(安徽)股份有限公司谢勇获国家专利权
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龙图腾网获悉东科半导体(安徽)股份有限公司申请的专利一种提高同步整流芯片轻载效率的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116683743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310745249.4,技术领域涉及:H02M1/08;该发明授权一种提高同步整流芯片轻载效率的方法是由谢勇;程兆辉;赵少峰设计研发完成,并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高同步整流芯片轻载效率的方法在说明书摘要公布了:本发明实施例涉及一种提高同步整流芯片轻载效率的方法。监测同步整流芯片的输出端K端与输入端A端之间的电压VKA,所述VKA反映了负载电流的变化情况;当所述VKA下降到第一预设电压时,基于VKA=‑Is×Rdson的关系进行Vgs驱动电压动态预调整处理,以对抗随负载电流Is变小引起的VKA变化,延长同步整流芯片的开通时间;所述Rdson为同步整流芯片内部金属氧化物半导体场效应管MOSFET的导通电阻;所述Vgs驱动电压动态预调整处理包括:控制降低Vgs驱动电压,利用MOSFET中随Vgs减小Rdson增大的特性,保持VKA电压不变。
本发明授权一种提高同步整流芯片轻载效率的方法在权利要求书中公布了:1.一种提高同步整流芯片轻载效率的方法,其特征在于,所述方法包括: 监测同步整流芯片的输出端K端与输入端A端之间的电压VKA,所述VKA反映了负载电流的变化情况; 当所述VKA下降到第一预设电压时,基于VKA=-Is×Rdson的关系和预设的目标电压进行Vgs驱动电压动态预调整处理,以对抗随负载电流Is变小引起的VKA变化,延长同步整流芯片的开通时间;所述Rdson为同步整流芯片内部金属氧化物半导体场效应管MOSFET的导通电阻; 所述Vgs驱动电压动态预调整处理具体包括: 设定初始的Vgs驱动电压; 利用电流传感器或电流采样电阻监测负载电流Is; 根据VKA=-Is×Rdson计算出相应的VKA电压,并与预设的目标电压进行比较;如果VKA电压高于目标电压,表示负载电流Is较大,调整降低Vgs驱动电压来减小Rdson值,以稳定VKA电压;如果VKA电压低于目标电压,表示负载电流Is较小,调整增加Vgs驱动电压以提高Rdson值,使VKA电压保持稳定; 所述Vgs驱动电压动态预调整处理过程中,持续实时监测负载电流Is和VKA的变化,实时动态调整Vgs驱动电压,用以优化同步整流芯片的工作参数。
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