长鑫存储技术有限公司高明校获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体工艺中制备样品溶液的系统及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116659977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210144034.2,技术领域涉及:G01N1/28;该发明授权一种半导体工艺中制备样品溶液的系统及方法是由高明校设计研发完成,并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体工艺中制备样品溶液的系统及方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体领域,公开一种半导体工艺中制备样品溶液的系统及方法。该系统包括反应腔、气体吹扫装置、排气装置、冲洗装置、翻转装置、升降装置、标准溶液供应装置、标准溶液装载装置和取样装置;反应腔分别与气体吹扫装置、排气装置和冲洗装置连接;反应腔具有开口,开口用于作为传送晶圆的入口和出口;标准溶液装载装置设置于反应腔的底部,分别与标准溶液供应装置和取样装置连接;翻转装置设置于反应腔的内部;升降装置用于接收来自翻转装置的晶圆,并调整晶圆的高度和或水平度,通过与翻转装置的配合使得晶圆的表面与标准溶液装载装置中装载的标准溶液接触。制样过程无需人工操作,避免代入污染,安全性高,时效性强,便于连续制样。
本发明授权一种半导体工艺中制备样品溶液的系统及方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体工艺中制备样品溶液的系统,其特征在于,包括:反应腔、气体吹扫装置、排气装置、冲洗装置、翻转装置、升降装置、标准溶液供应装置、标准溶液装载装置和取样装置; 所述反应腔分别与所述气体吹扫装置、所述排气装置和所述冲洗装置连接; 所述反应腔具有开口,所述开口用于作为传送晶圆的入口和出口; 所述标准溶液装载装置设置于所述反应腔的底部,分别与所述标准溶液供应装置和所述取样装置连接,用于接收来自所述标准溶液供应装置的标准溶液,并将制备的样品溶液输出至所述取样装置; 所述翻转装置设置于所述反应腔的内部,用于吸附、传送和翻转晶圆; 所述升降装置用于接收来自所述翻转装置的晶圆,并调整所述晶圆的高度和或水平度,通过与所述翻转装置的配合使得所述晶圆的表面与所述标准溶液装载装置中装载的标准溶液接触。
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