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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种绿光激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116646819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310514274.1，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种绿光激光器是由阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张会康;刘紫涵;黄军;张江勇设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绿光激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种绿光激光器，该绿光激光器包括从下到上依次层叠设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述下波导层和上波导层为若干层InN偏析抑制层；所述若干层InN偏析抑制层包括：GaN和InaGa1‑aN，0.01≤a≤0.4。采用本发明实施例，降低InN偏析，减少In组分涨落，使激光器的增益谱变窄，提升峰值增益，同时，提升绿光激光器高In组分量子阱的热稳定性，降低热退化，提升有源层的质量和界面质量，减少非辐射复合中心，消除光学灾变，提高了绿光激光器的性能。

本发明授权一种绿光激光器在权利要求书中公布了：1.一种绿光激光器，其特征在于，包括从下到上依次层叠设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层； 所述下波导层和上波导层为若干层InN偏析抑制层； 所述若干层InN偏析抑制层包括：GaN和InaGa1-aN，0.01≤a≤0.4； 所述有源层为量子阱结构，包括：阱层和垒层；所述有源层的量子阱周期为1-2； 其中，所述阱层为InvGa1-vN，所述阱层的厚度为1-4nm，0.01≤v≤0.4； 所述垒层为GaN，所述垒层的厚度为2-6nm； 所述若干层InN偏析抑制层，包括：第一InN偏析抑制层、第二InN偏析抑制层、第三InN偏析抑制层和第四InN偏析抑制层； 所述第一InN偏析抑制层的In、所述第二InN偏析抑制层的In、所述第三InN偏析抑制层的In、所述第四InN偏析抑制层的In和所述阱层的In之间的组分关系为： 0.01≤y＜zmin＜x＜zmax＜v≤0.4；其中，zmin为z的最小值，zmax为z的最大值； 其中，所述下波导层从下到上依次设置有所述第一InN偏析抑制层、所述第二InN偏析抑制层和所述第三InN偏析抑制层； 所述第一InN偏析抑制层为GaN，所述第一InN偏析抑制层的厚度为5-900nm； 所述第二InN偏析抑制层为InxGa1-xN，所述第二InN偏析抑制层的厚度为3-600nm，x为常数； 所述第三InN偏析抑制层为InyGa1-yN，所述第三InN偏析抑制层的厚度为1-50nm，y随二次项系数大于0的二次函数曲线变化； 其中，所述上波导层为所述第四InN偏析抑制层； 所述第四InN偏析抑制层为InzGa1-zN，所述第四InN偏析抑制层的厚度为2-500nm，z随抛物线曲线变化。

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