武汉安扬激光技术股份有限公司何飞获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉安扬激光技术股份有限公司申请的专利一种模式过滤器、少模光纤放大器及多级光纤放大器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116540349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310440067.6，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权一种模式过滤器、少模光纤放大器及多级光纤放大器系统是由何飞;邹锶;万威;陈抗抗设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种模式过滤器、少模光纤放大器及多级光纤放大器系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种模式过滤器、少模光纤放大器及多级光纤放大器系统，所述模式过滤器与保偏掺镱少模光纤通过光纤熔接机熔接，所述模式过滤器的横截面包括：纤芯区，纤芯直径小于少模光纤的直径；包层区，环绕在所述纤芯区的外侧；以及两个应力棒，设于所述包层区上，并相对所述纤芯区的上下轴对称布置；布拉格光栅，呈对称分布刻写在所述纤芯区的边缘，且所述布拉格光栅的位置与在所述纤芯区的纤芯中传输的高阶横模部分重合。本发明通过光栅刻写装置将布拉格光栅结构刻写在少模光纤的纤芯周围，将光栅在光纤横截面上的目标位置与光纤的高阶横模模场分布进行匹配，使光纤中的高阶模式经过光栅后得到较大的损耗，实现模式过滤的功能。
本发明授权一种模式过滤器、少模光纤放大器及多级光纤放大器系统在权利要求书中公布了：1.一种模式过滤器，与掺镱少模光纤通过光纤熔接机熔接，其特征在于，所述模式过滤器的横截面包括： 纤芯区，其纤芯直径小于所述掺镱少模光纤的直径； 包层区，环绕在所述纤芯区的外侧； 两个应力棒，设于所述包层区上，并相对所述纤芯区上下轴对称布置；以及 布拉格光栅，多个所述布拉格光栅呈对称分布刻写在所述纤芯区的边缘，且所述布拉格光栅的位置与在所述纤芯区的纤芯中传输的高阶横模部分重合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉安扬激光技术股份有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区左岭街光电园二路6号安扬激光高功率超快光纤激光器生产基地项目(全部自用)101号光纤楼栋/单元1-3层车间1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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