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龙图腾网获悉东科半导体(安徽)股份有限公司申请的专利一种GaN衬底的沟槽栅结构的MOSFET及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116469767B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310327273.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种GaN衬底的沟槽栅结构的MOSFET及其制备方法是由赵少峰设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN衬底的沟槽栅结构的MOSFET及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种GaN衬底的沟槽栅结构的MOSFET及其制备方法，包括在GaN衬底上制备GaN外延层；在GaN外延层上进行选择性刻蚀形成沟槽结构；淀积第一绝缘介质层；在沟槽结构中的第一绝缘介质层上生长第一金属栅极；在第一金属栅极上生长第二绝缘介质层；选择性刻蚀去除除第一金属栅极上方以外区域的第二绝缘介质层及第一金属栅极周围以外区域的第一绝缘介质层；二氧化硅沉积，同时形成沟槽结构内壁上的侧墙结构、第二绝缘介质层上的隔离介质层和沟槽结构两侧GaN外延层的表面准备层；在隔离介质层上生长第二金属栅极；在沟槽结构两侧的GaN外延层上离子注入形成源区和漏区，并制备接触电极和栅电极；制备表面钝化层，接触电极和栅电极暴露在表面钝化层上。

本发明授权一种GaN衬底的沟槽栅结构的MOSFET及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN衬底的沟槽栅结构的MOSFET制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在GaN衬底上制备GaN外延层； 在所述GaN外延层上进行选择性刻蚀，形成沟槽结构； 淀积第一绝缘介质层；所述第一绝缘介质层为复合介质层，包括氧化硅层和氮化硅层；所述第一绝缘介质层的结构为二氧化硅层氮化硅层二氧化硅层； 在所述沟槽结构中的第一绝缘介质层上生长第一金属栅极；所述第一金属栅极的高度低于所述沟槽结构的深度； 在所述第一金属栅极上生长第二绝缘介质层；所述第一金属栅极与所述第二绝缘介质层的总高度低于所述沟槽结构的深度； 进行选择性刻蚀，去除除第一金属栅极上方以外区域的第二绝缘介质层及第一金属栅极周围以外区域的第一绝缘介质层； 进行二氧化硅沉积，在所述沟槽结构的内壁上沉积侧墙结构，同时在第二绝缘介质层上沉积隔离介质层，并同时在沟槽结构两侧的GaN外延层上形成离子注入的表面准备层,从而通过单一沉积工艺步骤同时获得上述三种结构； 在所述隔离介质层上生长第二金属栅极； 在所述沟槽结构两侧的GaN外延层上通过离子注入形成源区和漏区，所述源区和漏区分别包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区之上；所述第二掺杂区与所述第一掺杂区的掺杂类型不同；所述第一金属栅极的上表面的水平位置低于所述第一掺杂区的下表面的水平位置；所述第二金属栅极的下表面的水平位置不高于所述第二掺杂区的下表面的水平位置； 在所述源区和漏区内制备接触电极，并制备栅电极连接第二金属栅极； 制备表面钝化层，所述接触电极和所述栅电极暴露在所述表面钝化层上。

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