莱布尼茨光电技术研究所;霍斯特·西德勒两合公司R·马泰斯获国家专利权
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龙图腾网获悉莱布尼茨光电技术研究所;霍斯特·西德勒两合公司申请的专利具有提高的抗干扰磁场能力的用于计数转数的磁性系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116438463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180075727.4,技术领域涉及:G01R33/00;该发明授权具有提高的抗干扰磁场能力的用于计数转数的磁性系统是由R·马泰斯设计研发完成,并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有提高的抗干扰磁场能力的用于计数转数的磁性系统在说明书摘要公布了:本发明涉及一种具有提高的抗干扰磁场能力的用于计数转数的磁性系统。任务在于,提供下述这种系统,该系统可以被使用在磁场区域B磁场区域中,该磁场区域明显超过根据现有技术通常所使用的磁场区域,其中,磁性窗口的宽度ΔB、即可允许使用的下限B值和上限B值之间的差是尽可能大的,该任务通过以下方式来解决,即使用角度传感器用于确定永磁体的将所述角度传感器和转数计102共同覆盖的磁场的场方向,其中,所述转数计由已知类型的GMR或TMR转数计构成,并且两个传感器并排地布置在共同的外壳中和或共同的电路板上,其特征在于,转数计102配置有在其磁性作用方面自动适应的磁阻尼结构200,但由匀质软磁材料构成的部分除外,所述磁阻尼结构在外部磁场为零时不具有自身磁场或者仅仅具有可忽略地小的自身磁场。
本发明授权具有提高的抗干扰磁场能力的用于计数转数的磁性系统在权利要求书中公布了:1.一种具有提高的抗干扰磁场能力的用于计数转数的磁性系统,其包含角度传感器101用于确定永磁体100的将所述角度传感器和转数计102共同覆盖的磁场的场方向,其中,所述转数计由已知类型的GMR或TMR转数计构成,并且所述角度传感器101和所述转数计102并排地布置在共同的外壳213中和或共同的电路板105上,其特征在于,所述转数计102配置有在其磁作用方面自动适应的磁性的阻尼结构200,但由匀质软磁材料构成的部分除外,所述磁性的阻尼结构在外部磁场为零时不具有自身磁场或者仅仅具有可忽略地小的自身磁场。
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