买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种基于散射中心正向模型的雷达目标特性规划方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116401844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310309209.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于散射中心正向模型的雷达目标特性规划方法是由化梦博;何思远;蔡志灏;龚伟;张云华;朱国强设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于散射中心正向模型的雷达目标特性规划方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于散射中心正向模型的雷达目标特性规划方法。本方法结合实际设计需要规划期望目标特性，选用阻抗表面模拟薄涂覆的PEC目标表面，参考理想导电目标散射中心正向建模过程，并采用阻抗目标电磁散射高频计算方法，实现介质涂覆或局部涂覆电大尺寸目标散射中心模型的构建。通过调整涂层介质参数和涂覆区域获悉目标散射中心对整体散射的贡献情况和变化规律和目标局部结构散射的形成过程以及实现目标特征信号控制，经多次迭代优化使得模型重构目标特性满足预期特性，实现目标特性规划。本发明可有效满足样本目标特性规划的设计需求，在特征信号控制的设计与优化等方面表现出明显的优势。

本发明授权一种基于散射中心正向模型的雷达目标特性规划方法在权利要求书中公布了：1.一种基于散射中心正向模型的雷达目标特性规划方法，其特征在于，包含以下步骤： 步骤1，结合实际设计需要针对样本目标在理想导电情形下进行雷达目标特性规划设计； 步骤2，建立目标在理想导电情形下的散射中心模型获取目标散射源信息，对样本目标进行散射源分析，构建目标强散射源与目标局部结构之间的对应关系，目标的散射特性主要由目标的强散射源决定，因此为满足实际设计需要通常选择对目标强散射结构进行材料介质涂覆，具体介质涂层参数和涂覆区域需根据步骤1中雷达目标特性规划要求和介质涂层自身吸波特性进行选择； 步骤3，采用阻抗表面模拟薄涂覆的PEC目标表面，通过阻抗参数来表达目标表面对入射电磁波的吸收作用，参照PEC目标散射中心正向建模过程，并采用阻抗目标电磁散射高频计算方法，实现介质涂覆或局部涂覆电大尺寸目标散射中心模型的构建； 步骤4，利用步骤3中得到的涂覆目标散射中心模型重构雷达目标特性并与预期特性进行对比，考察分析涂覆模型的强散射源分布、散射中心幅值相对大小及重构RCS曲线和SAR图像与预期结果的一致性问题，基于误差分析结果调整材料介质参数和涂覆区域，选用吸波能力更强或较弱的介质涂层或选择扩大材料介质涂覆范围，此过程可获悉目标散射中心对整体散射的贡献情况和变化规律和目标局部结构散射的形成过程以及实现目标特征信号控制，经多次迭代优化直至模型重构目标特性满足预期特性，实现雷达目标特性规划。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉大学，其通讯地址为：430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。