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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于化合物半导体激光器的硅基集成光源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387967B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310278037.X，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种基于化合物半导体激光器的硅基集成光源是由张敏明;田琦设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于化合物半导体激光器的硅基集成光源在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于化合物半导体激光器的硅基集成光源，包括：绝缘体上硅SOI区、沉积硅区、键合区和激光器区；激光器区通过键合区集成到SOI区及沉积硅区的上方；沉积硅区在绝缘体上硅区上采用低温沉积非晶硅制成，包括第一沉积硅锥形波导、沉积硅过渡波导和第二沉积硅锥形波导；激光器区包括有源区、光栅层、激光器过渡波导和激光器锥形波导；激光器区沿出光方向的右侧镀高反膜，左侧镀增透膜，构建谐振腔；光栅层对光信号选模得到目标光信号，经激光器锥形波导耦合到第二沉积硅锥形波导，再经第一沉积硅锥形波导耦合到SOI锥形波导，沿SOI硅波导输出高功率光信号。提高光耦合效率，实现高可靠、高输出光功率、低成本的硅基集成光源。

本发明授权一种基于化合物半导体激光器的硅基集成光源在权利要求书中公布了：1.一种基于化合物半导体激光器的硅基集成光源，其特征在于，包括：绝缘体上硅SOI区1、沉积硅区2、键合区3和激光器区4； 所述绝缘体上硅区1包括SOI硅波导1-3和SOI锥形波导1-4； 所述沉积硅区2在绝缘体上硅区1上采用低温沉积非晶硅制成，其包括第一沉积硅锥形波导2-1、沉积硅过渡波导2-2和第二沉积硅锥形波导2-3； 所述键合区3与所述沉积硅区2设置为同一层，所述激光器区4通过所述键合区3集成到所述沉积硅区2的上方，所述激光器区4的出光端与所述第二沉积硅锥形波导2-3相接触； 所述激光器区4包括有源区4-2、光栅层4-3、激光器过渡波导4-7和激光器锥形波导4-8； 所述有源区4-2用于产生光信号；所述激光器区4沿出光方向的右侧镀高反膜，左侧镀增透膜，用于构建谐振腔，将光信号反射生成多模光信号；所述光栅层4-3用于对所述多模光信号选模得到目标光信号；所述目标光信号依次通过所述激光器过渡波导4-7和所述激光器锥形波导4-8耦合到所述第二沉积硅锥形波导2-3，再经由所述沉积硅过渡波导2-2和所述第一沉积硅锥形波导2-1耦合到所述SOI锥形波导1-4，沿所述SOI硅波导1-3输出高功率光信号。

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