苏州东微半导体股份有限公司刘磊获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州东微半导体股份有限公司申请的专利半导体二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111611956.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体二极管是由刘磊;刘伟;袁愿林;王睿设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体二极管在说明书摘要公布了：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体二极管，包括n型半导体层；位于所述n型半导体层之上的阳极金属层；位于所述n型半导体层内的若干个交替间隔设置的n型柱和p型柱；位于所述p型柱顶部的p型体区；低载流子区，所述低载流子区内的所述p型体区与所述阳极金属层形成p型肖特基二极管；高载流子区，所述高载流子区内的所述p型体区内设有p型接触区，所述p型接触区与所述阳极金属层形成欧姆接触。
本发明授权半导体二极管在权利要求书中公布了：1.半导体二极管，其特征在于，包括： n型半导体层； 位于所述n型半导体层之上的阳极金属层； 位于所述n型半导体层内的若干个交替间隔设置的n型柱和p型柱； 位于所述p型柱顶部的p型体区； 低载流子区，所述低载流子区内的所述p型体区与所述阳极金属层形成p型肖特基二极管； 高载流子区，所述高载流子区内的所述p型体区内设有p型接触区，所述p型接触区与所述阳极金属层形成欧姆接触； 所述低载流子区位于半导体二极管的有源区的边缘区域，所述高载流子区位于半导体二极管的有源区的中间区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州东微半导体股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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