联华电子股份有限公司侯信铭获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利绝缘栅双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111587888.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权绝缘栅双极型晶体管是由侯信铭设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本绝缘栅双极型晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开一种绝缘栅双极型晶体管，其包含一P型III‑V族氮化物层，一N型III‑V族氮化物层接触P型III‑V族氮化物层的一侧，一高电子迁移率晶体管设置在N型III‑V族氮化物层上，高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族氮化物层和一第二III‑V族氮化物层，第一III‑V族氮化物层设置在N型III‑V族氮化物层上，第二III‑V族氮化物层设置在第一III‑V族氮化物层上，一源极埋入于第二III‑V族氮化物层和第一III‑V族氮化物层中，其中源极包含一N型III‑V族氮化物主体和一金属结，一漏极接触P型III‑V族氮化物层的另一侧以及一栅极设置在第二III‑V族氮化物层上。
本发明授权绝缘栅双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管，包含： P型III-V族氮化物层； N型III-V族氮化物层，接触该P型III-V族氮化物层的一侧； 高电子迁移率晶体管，设置在该N型III-V族氮化物层上，其中该高电子迁移率晶体管包含： 第一III-V族氮化物层，该第一III-V族氮化物层接触该N型III-V族氮化物层； 第二III-V族氮化物层，设置在该第一III-V族氮化物层上； 源极，埋入该第二III-V族氮化物层和该第一III-V族氮化物层中，其中该源极包含N型III-V族氮化物主体和金属结； 漏极，接触该P型III-V族氮化物层的另一侧；以及 栅极，设置在该第二III-V族氮化物层上， 其中该源极作为该高电子迁移率晶体的源极以及该绝缘栅双极型晶体的射极，该漏极作为该高电子迁移率晶体管的漏极以及该绝缘栅双极型晶体管的集极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励