买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116325092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080028944.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制作方法是由程凯设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：衬底10、第一支撑结构11、第一纳米线异质结12、源极13b、漏极13c以及环形栅极13a；其中，衬底10包括第一区域10a，以及分别位于第一区域10a两侧的第二区域10b与第三区域10c；第一支撑结构11至少位于第二区域10b与第三区域10c上；第一纳米线异质结12包括对应于第一区域10a的第一栅极区段12a、对应于第二区域10b的第一源极区段12b以及对应于第三区域10c的第一漏极区段12c；第一源极区段12b与第一漏极区段12c位于第一支撑结构11上；源极13b位于第一源极区段12b，漏极13c位于第一漏极区段12c，环形栅极13a包覆于第一栅极区段12a。由于第一纳米线异质结12被限域，异质结内的二维电子气或二维空穴气载流子在迁移过程中呈现近似一维的输运方式，可提高载流子迁移率、击穿电压以及降低漏电。

本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底10，所述衬底10包括第一区域10a，以及分别位于所述第一区域10a两侧的第二区域10b与第三区域10c； 至少位于所述第二区域10b与所述第三区域10c上的第一支撑结构11； 第一纳米线异质结12，所述第一纳米线异质结12包括对应于所述第一区域10a的第一栅极区段12a、对应于所述第二区域10b的第一源极区段12b以及对应于所述第三区域10c的第一漏极区段12c；所述第一源极区段12b与所述第一漏极区段12c位于所述第一支撑结构11上； 位于所述第一源极区段12b上的源极13b，位于所述第一漏极区段12c上的漏极13c以及包覆于所述第一栅极区段12a的环形栅极13a； 所述第一纳米线异质结12周围包覆有第一抗散射层141； 所述第一纳米线异质结12自下而上包括：第一沟道层121与第一势垒层122，或包括：第一背势垒层123、第一沟道层121与第一势垒层122。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。