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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111574487.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由裴晓延设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的多层外延层；多层外延层包括远离衬底一侧的势垒层；位于势垒层远离衬底一侧的隔离层、源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括靠近衬底一侧的栅极底面，栅极底面包括第一底面分部和第二底面分部；其中，隔离层位于第二底面分部和漏极之间，隔离层与栅极接触，且隔离层与多层外延层接触。本发明实施例提供的半导体器件，可改善栅极靠近漏极一侧的高电场分布，改善高温高压下器件的可靠性。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的多层外延层；多层所述外延层包括远离所述衬底一侧的势垒层； 位于所述势垒层远离所述衬底一侧的隔离层、源极、栅极和漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；所述栅极包括靠近所述衬底一侧的栅极底面，所述栅极底面包括第一底面分部和第二底面分部，所述第一底面分部位于所述第二底面分部靠近所述漏极的一侧；其中，所述隔离层位于所述第二底面分部和所述漏极之间，所述隔离层与所述栅极接触，且所述隔离层与多层所述外延层接触； 所述势垒层中设置有第一开口，所述第一开口包括靠近所述漏极一侧的第一侧面，所述隔离层包括第一隔离分部，所述第一隔离分部覆盖至少部分所述第一侧面； 至少部分所述栅极位于所述第一开口内，所述第一底面分部与所述第一隔离分部接触； 所述隔离层还包括第三隔离分部，所述第三隔离分部与所述第一隔离分部连接且与所述势垒层远离所述衬底的一侧表面接触； 所述栅极包括相互连接的第一栅极分部和第二栅极分部，所述第一栅极分部位于所述第一开口内，所述第二栅极分部位于所述第一开口外且覆盖所述第一栅极分部；所述第一底面分部包括第一底面丙分部，所述第一底面丙分部与所述第三隔离分部接触。

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