Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 吉林建筑大学郭亮获国家专利权

吉林建筑大学郭亮获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉吉林建筑大学申请的专利一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116313815B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310073364.1,技术领域涉及:H10D30/01;该发明授权一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法是由郭亮;王冲;迟耀丹;杨小天;王超;杨帆;初学峰;高晓红;王欢;杨佳;吕卅;王苏浩;王庆;李东旭设计研发完成,并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法,包括:一、通过光刻剥离方法在基底上刻蚀出有多个有源层沉积区;二、利用掺Li氧化锌靶材和金属锡靶材在有源层沉积区上磁控溅射沉积掺Li氧化锌锡薄膜,得到第一有源层;以及利用氧化锌靶材和金属锡靶材在第一有源层上磁控溅射沉积氧化锌锡薄膜,得到第二有源层;其中,在沉积第一有源层时,O2的分压为0;在沉积第二有源层时,O2的分压为5%;三、对沉积有源层的基底去胶后,退火;四、通过光刻剥离方法在退火后的基底上刻蚀出多个电极沉积区;每个电极沉积区包括间隔设置的源电极沉积区和漏电极沉积区;五、在源电极沉积区和漏电极沉积区上沉积电极层后,去胶。

本发明授权一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤一、对基底进行预处理后,通过光刻剥离方法在所述基底上曝光显影出有多个有源层沉积区; 步骤二、利用掺Li氧化锌靶材和金属锡靶材在所述有源层沉积区上磁控溅射沉积掺Li氧化锌锡薄膜,得到第一有源层;以及利用氧化锌靶材和金属锡靶材在所述第一有源层上磁控溅射沉积氧化锌锡薄膜,得到第二有源层; 其中,在进行有源层沉积时,以Ar和O2混合气体作为工作气体;在沉积所述第一有源层时,O2的分压为0;在沉积所述第二有源层时,O2的分压为5%; 步骤三、对沉积有源层的基底去胶后,退火; 步骤四、通过光刻剥离方法在退火后的基底上曝光显影出多个电极沉积区;所述电极沉积区与所述有源层沉积区一一对应,并且位于所述第二有源层上方,每个所述电极沉积区包括间隔设置的源电极沉积区和漏电极沉积区; 步骤五、在所述源电极沉积区和漏电极沉积区上沉积电极层后,去胶,得到晶体管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人吉林建筑大学,其通讯地址为:130000 吉林省长春市新城大街5088号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。