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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利掩膜版图和器件形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116300302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111562545.8，技术领域涉及：G03F1/42；该发明授权掩膜版图和器件形成方法是由俞宏俊设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜版图和器件形成方法在说明书摘要公布了：一种掩膜版图及器件形成方法，掩膜版图包括：第一子版图包括第一主图形区、以及凸出于第一主图形区且与第一主图形区相连接的标记区，第一主图形区中具有第一芯片图形，标记区中具有第一拼接标记图形；第二子版图包括用于与第一主图形区实现拼接的第二主图形区，第二主图形区中具有第二芯片图形、以及位于第二芯片图形侧部的第二拼接标记图形，第二拼接标记图形设置于第二子版图中待与第一子版图进行拼接的一侧，且第二芯片图形用于与第一芯片图形进行拼接获得目标图形；其中，第一拼接标记图形和第二拼接标记图形被设置为：在将第一子版图和第二子版图进行拼接后，第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间实现对准。从而能够提高拼接曝光的对准精度。

本发明授权掩膜版图和器件形成方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版图，其特征在于，包括： 目标版图，所述目标版图包括位于同层的多个子版图，所述多个子版图用于在拼接后形成完整的目标版图，且所述子版图在拼接的位置处均设有拼接标记图形，所述子版图包括用于进行拼接的第一子版图和第二子版图； 所述第一子版图包括第一主图形区、以及凸出于所述第一主图形区且与所述第一主图形区相连接的标记区，且所述标记区设置于所述第一子版图中待拼接的一侧，所述第一主图形区中具有第一芯片图形，所述标记区中具有第一拼接标记图形； 所述第二子版图包括用于与所述第一主图形区实现拼接的第二主图形区，所述第二主图形区中具有第二芯片图形、以及位于所述第二芯片图形侧部的第二拼接标记图形，所述第二拼接标记图形设置于所述第二子版图中待与所述第一子版图进行拼接的一侧，且所述第二芯片图形用于与所述第一芯片图形进行拼接获得目标图形； 其中，所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形被设置为：在将第一子版图和第二子版图进行拼接后，所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间实现对准，其中，所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间实现对准包括：所述第一拼接标记图形和第二拼接标记图形之间相套嵌。

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