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龙图腾网获悉上海美维科技有限公司申请的专利一种封装基板EBSD样品及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211599582.0，技术领域涉及：G01N23/2005；该发明授权一种封装基板EBSD样品及其制备方法是由霍发燕;王建彬;计欣磊;孟伟设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装基板EBSD样品及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的封装基板EBSD样品及其制备方法，结合机械抛光和电解抛光以及导电处理工艺、再利用FIB‑SEM双束系统的离子束对去除待测区域表面的导电层，既可以保证待测试区域衍射花样信息的完整性，又可以在一定程度上保持封装基板EBSD样品的导电性，同时降低封装基板EBSD样品表面的氧化程度，从而制备出具有较高EBSD标定率的封装基板EBSD样品，其EBSD标定率可至85％～95％及以上；利用所述制备方法制备得到的封装基板EBSD样品，可测试的区域大，从而可以得到封装基板中盲孔的全部EBSD测试分析信息；相比于单一的FIB离子束切割制备封装基板EBSD样品，其制备时间短，生产效率高且制备过程中的电解抛光液也可重复使用，从而在一定程度上降低生产成本。

本发明授权一种封装基板EBSD样品及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装基板EBSD样品的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 依次使用180目，360目，600目，1200目，2400目，4000目的砂纸对封装基板进行机械研磨，且每次更换砂纸时，将封装基板同时旋转90°，直至将上一次的磨痕消除为止； 机械抛光包括将转速调至100~500rmin对封装基板进行第一次抛光，在第一次抛光的过程中加入氧化铝抛光液；再将转速调至100rmin～300rmin进行第二次抛光，直至封装基板的抛光截面在光学显微镜无划痕且出现光亮镜面，所述机械抛光的时间为0.5min-5min； 利用磷酸：乙醇：异丙醇：DI水混合得到的电解抛光液对机械抛光处理后的封装基板进行电解抛光，所述电解抛光的参数设置为：电压5V~10V，电流0.5A～3A，抛光时间2s~30s，所述电解抛光液的质量分数比为5:5:1:10或5.5:4.5:1:8的一种； 对电解抛光后的封装基板进行喷金或喷碳的导电处理； 将导电处理后的封装基板放入FIB-SEM双束系统的样品仓水平样品台，并对所述样品仓进行抽真空，将所述水平样品台旋转一定角度，调整FIB-SEM双束系统的离子束对并调整参数为：FIB的加速电压10kV~30kV，FIB的束流强度30pA~100pA，从而将封装基板上的待测区域表面的金层或碳层去除，以得到所述封装基板EBSD样品。

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