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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种具有自恒流功能的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116266603B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111551208.9，技术领域涉及：H10H29/10；该发明授权一种具有自恒流功能的发光二极管及其制备方法是由吴向龙;闫宝华;彭璐;王成新;徐现刚设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有自恒流功能的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有自恒流功能的发光二极管及其制备方法，属于光电子领域，包括P型单晶硅衬底、衬底上的恒流JFET芯片和LED芯片；恒流JFET芯片包括外延层、氧化层绝缘层、P+隔离墙、P+栅区和N+漏源区；LED芯片包括键合层、电流扩展层、P型欧姆接触层、多量子阱层和N型欧姆接触层；晶圆上还设置有JEFT的P电极、N电极、LED的P电极和N电极，其中JEFT的N电极和LED的N电极连接在一起形成焊线电极。本发明同时具有LED芯片和恒流JFET芯片功能，将原本需要单独制作的芯片通过一次工艺完成，且封装时适用于各种支架，一次固晶焊线即可完成，因此可大幅降低生产成本，简化封装工艺。

本发明授权一种具有自恒流功能的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有自恒流功能的发光二极管的制备方法，其特征在于，发光二极管包括P型单晶硅衬底以及位于P型单晶硅衬底上的恒流JFET芯片和LED芯片； 所述恒流JFET芯片包括JEFT外延层、氧化层绝缘层、P+隔离墙、P+栅区和N+漏源区；所述LED芯片包括键合层、电流扩展层、P型欧姆接触层、多量子阱层和N型欧姆接触层； 所述P型欧姆接触层、N型欧姆接触层上分别设置有P型欧姆接触金属和N型欧姆接触金属，形成一晶圆，该晶圆上表面生长有一层钝化层，晶圆上还设置有JEFT的P电极、JEFT的N电极、LED的P电极和LED的N电极，其中JEFT的N电极和LED的N电极连接在一起形成焊线电极； 制备方法，包括以下步骤： 1在P型单晶硅衬底上生长一层JEFT外延层； 2在JEFT外延层上热生长一层氧化层，然后通过光刻、刻蚀形成P+隔离窗口； 3在P+隔离窗口通过离子注入形成P+隔离墙，其表面浓度为1e18-1e19cm-3，结深大于JEFT外延层的厚度，退火温度为1000-1150℃，时间为1-2h，然后全部去除氧化层； 4在步骤3得到的器件上表面热生长一层氧化层，然后通过光刻、刻蚀形成P+栅区窗口； 5在P+栅区窗口通过离子注入形成P+栅区，其表面浓度为1e18-1e19cm-3，结深2.5-3.5μm，退火温度为1000-1150℃，时间为3.5-4.5h，然后全部去除氧化层； 6在步骤5得到的器件上表面再次热生长一层氧化层，然后通过光刻、刻蚀形成N+源漏区窗口； 7在N+源漏区窗口通过离子注入形成N+源漏区，其表面浓度为1e19-1e20cm-3，结深0.1-0.3μm，退火温度为1000-1150℃，时间为3.5-4.5h，然后全面去除氧化层； 8通过PECVD在步骤7得到的器件表面蒸镀一层绝缘层； 9在LED外延片蒸镀电流扩展层，然后通过键合工艺，将LED外延片与步骤8得到的器件在温度300-400℃，时间40-50分钟，压力800kg条件下进行键合，使得LED芯片的电流扩展层和绝缘层键合在一起，然后去除键合后的LED外延片的n-GaAs衬底； 10通过光刻、ICP工艺，将LED芯片以外的区域刻蚀至步骤7的晶圆表面，漏出JFET器件表面，具体为刻蚀掉绝缘层，露出JEFT外延层、P+隔离墙、P+栅区和N+源漏区； 11再次通过光刻、ICP工艺，将LED芯片另一侧刻蚀至P型欧姆接触层； 12通过光刻、蒸镀、剥离，分别形成LED芯片的P型欧姆接触金属、N型欧姆接触金属，P型欧姆接触金属为AuAuZnAu，合金温度400-600℃，8-12min，N型欧姆接触为AuAuGeNiAu，合金温度为300-400℃，8-12min； 13在步骤12形成的晶圆表面通过PECVD生长一层SiN钝化层； 14再次通过光刻、蒸镀、剥离，形成JEFT的P电极、JEFT的N电极，以及LED的P电极和LED的N电极，其中LED的N电极和JFET的N电极连接，电极材料为Al； 15将步骤4得到的晶圆研磨，使整个芯片厚度保持在120-180μm之间，采用激光划片、金刚刀切割方式得到发光二极管。

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