上海新微技术研发中心有限公司杜晓阳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111483805.2，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法是由杜晓阳;余明斌;汪巍;涂芝娟;王白银;陈旭设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法，包括步骤：1于SOI晶圆的第一主面沉积隔离介质层；2采用低压化学气相沉积工艺于沉积隔离介质层上和SOI晶圆的第二主面分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层；3刻蚀第二氮化硅层，以至少去除第二氮化硅层的部分厚度；4采用等离子体增强化学气相沉积工艺于SOI晶圆的第二主面沉积高应力氮化硅层；5刻蚀第一氮化硅层，以形成氮化硅波导，高应力氮化硅层用于在形成氮化硅波导时使氮化硅波导达到应力平衡。本发明不仅解决了氮化硅波导应力不平衡的问题而且还保护了晶圆正面的器件，可广泛应用于硅光子技术中。
本发明授权基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 1提供一SOI晶圆，所述SOI晶圆包括相对的第一主面和第二主面，于所述SOI晶圆的第一主面沉积隔离介质层； 2采用低压化学气相沉积工艺于所述沉积隔离介质层上和所述SOI晶圆的第二主面分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层； 3刻蚀所述第二氮化硅层，以至少去除所述第二氮化硅层的部分厚度； 4采用等离子体增强化学气相沉积工艺于所述SOI晶圆的第二主面沉积高应力氮化硅层； 5刻蚀所述第一氮化硅层，以形成氮化硅波导，所述高应力氮化硅层用于在形成所述氮化硅波导时使所述氮化硅波导达到应力平衡。
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