北京大学姜建峰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116246958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211489954.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管是由姜建峰;邱晨光;彭练矛设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管，该方法包括如下步骤：提供基底；在基底上形成半导体材料层；在半导体材料层上形成栅极结构；形成赝栅极侧墙，包围栅极结构的侧壁；对二维半导体材料层的表面进行表面改性处理，在二维半导体材料的表面上形成固态活性源金属层；在固态活性源金属层上形成常规金属层进行退火处理，得到二维半金属金属材料层；光刻固态活性源金属层和常规金属层，自对准形成源漏接触区，源漏接触区包括固态活性源金属层、常规金属层和二维半金属金属材料层。该方法能够降低接触电阻，减少器件区面积，提高集成度和性能，实现针对二维半导体材料器件的源漏自对准工艺。
本发明授权二维半导体晶体管的自对准图形化方法和二维半导体晶体管在权利要求书中公布了：1.一种二维半导体晶体管的自对准图形化方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底； 在所述基底上形成二维半导体材料层； 在所述二维半导体材料层上形成栅极结构； 形成赝栅极侧墙，包围所述栅极结构的侧壁； 采用超低功率软等离子体轰击所述二维半导体材料层未被所述栅极结构和侧壁覆盖的表面，进行表面改性处理； 在所述二维半导体材料远离所述基底的表面上形成固态活性源金属层； 在所述固态活性源金属层上形成常规金属层； 对所述固态活性源金属层和所述常规金属层进行退火处理，使所述固态活性源金属层中的金属原子诱导所述二维半导体材料层相变，得到二维半金属金属材料层； 光刻所述固态活性源金属层和所述常规金属层，自对准形成源漏接触区，所述源漏接触区包括所述固态活性源金属层、所述常规金属层和所述二维半金属金属材料层。
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