苏州研材微纳科技有限公司王云翔获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州研材微纳科技有限公司申请的专利高深宽比金属光栅的制备方法及器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116243415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211697108.1,技术领域涉及:G02B5/18;该发明授权高深宽比金属光栅的制备方法及器件是由王云翔;李瑾;李燕设计研发完成,并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本高深宽比金属光栅的制备方法及器件在说明书摘要公布了:本发明涉及一种高深宽比金属光栅的制备方法及器件。其包括:提供支撑衬底以及中间衬底;在中间衬底上制备中间衬底掩膜层,并对所制备的中间衬底掩膜层图形化,利用中间衬底掩膜层以及中间衬底掩膜层图形化窗口对中间衬底刻蚀,以在刻蚀后得到金属沉积窗口;去除上述中间衬底掩膜层,并在中间衬底上方进行金属沉积,以得到填充在金属沉积窗口内的光栅金属柱,其中,所述光栅金属柱的下端部与金属种子层接触连接;去除上述的中间衬底、粘结层以及支撑衬底,以得到金属种子层以及若干支撑于所述金属种子层上的光栅金属柱。本发明能有效制备高深宽比金属光栅,与现有工艺兼容,提高金属光栅的制备效率与工艺稳定性。
本发明授权高深宽比金属光栅的制备方法及器件在权利要求书中公布了:1.一种高深宽比金属光栅的制备方法,其特征是,所述金属光栅的深宽比为50:1~100:1,金属光栅的制备方法包括: 提供支撑衬底1以及中间衬底4,其中,在支撑衬底1上制备金属种子层2,中间衬底4通过金属种子层2上的粘结层3与金属种子层2键合固定; 在中间衬底4上制备中间衬底掩膜层5,并对所制备的中间衬底掩膜层5图形化,以得到若干贯通中间衬底掩膜层5的中间衬底掩膜层图形化窗口7; 利用中间衬底掩膜层5以及中间衬底掩膜层图形化窗口7对中间衬底4刻蚀,以在刻蚀后得到若干与中间衬底掩膜层图形化窗口7分别正对应的金属沉积窗口,其中,通过金属沉积窗口使得金属种子层2相应的表面露出; 去除上述中间衬底掩膜层5,并在中间衬底4上方进行金属沉积,以得到填充在金属沉积窗口内的光栅金属柱6,其中,所述光栅金属柱6的下端部与金属种子层2接触连接; 去除上述的中间衬底4、粘结层3以及支撑衬底1,以得到金属种子层2以及若干支撑于所述金属种子层2上的光栅金属柱6; 去除上述的中间衬底4、粘结层3以及支撑衬底1时,包括: 先将粘结层3去除,以使得中间衬底4与金属种子层2分离; 在中间衬底4与金属种子层2分离后,将金属种子层2与支撑衬底1分离,以去除支撑衬底1。
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