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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种气体吸收提高真空紫外光电离源信号稳定性的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111478972.8，技术领域涉及：H01J49/16；该发明授权一种气体吸收提高真空紫外光电离源信号稳定性的装置是由陈平;李海洋;陈懿;曹艺雪;文宇轩;张陶设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种气体吸收提高真空紫外光电离源信号稳定性的装置在说明书摘要公布了：本发明涉及质谱技术领域，具体的说是一种气体吸收提高真空紫外光电离源信号稳定性的装置。真空紫外光电离是一种应用非常广泛的质谱电离源。但是真空紫外光的光窗会因为有机相沉积或者灰尘附着等原因发生污染，导致真空紫外光强的下降。根据朗伯比尔定律，真空紫外光强的降低会降低离子产率，制约光质谱的灵敏度和稳定性。在光源和电离室之间增加一个填充气体的洗手池，通过调节吸收池中气体种类、气压控制紫外光透过率，补偿真空紫外光源光强波动导致信号不稳定。这种利用气体吸收的方法，对光强导致信号衰减具有较好的线性补偿能力，有助于提高光电离质谱的稳定性。

本发明授权一种气体吸收提高真空紫外光电离源信号稳定性的装置在权利要求书中公布了：1.一种气体吸收提高真空紫外光电离源信号稳定性的装置，其特征在于：包括真空紫外光源1、气体吸收池2、光窗3、电离室8、进气阀4、进样管5、抽气泵6和真空规7； 气体吸收池2为一中空密闭腔室，于气体吸收池2上壁面上开设有通孔，气体吸收池2紧靠于真空紫外光源1出光口的正下方设置，真空紫外光源1出光口四周边缘与气体吸收池2上壁面密闭连接，通孔与真空紫外光源1出光孔同轴设置；于气体吸收池2远离真空紫外光源1出光口的下端壁面上设置有透光的光窗3； 电离室8为一上端开口的中空腔室，电离室8的上开口端与气体吸收池2下端壁面密闭连接，使电离室8构成一密闭腔室；于电离室8内部设有中部带有通孔的平板状传输电极9。于电离室8下端壁面上设有作为离子出口的通孔，离子出口与传输电极9的中部通孔同轴；于电离室8侧壁面上设有样品入口；光窗3处于电离室8的上开口端所围绕的区域内，真空紫外光源1发出的光经通孔照射入气体吸收池2内部，再经光窗3照射入电离室8内传输电极9中部通孔内； 在气体吸收池2的侧壁上设有三个通孔，三个通孔分别连接有进气阀4、抽气泵6和真空规6；用于吸收光的气体通过进样管5和进气阀4进入气体吸收池2；通过进气阀4和抽气泵6调节气体吸收池2内部气压，气压大小通过真空规7进行测量；真空紫外光源1发出的光经过气体吸收池2和光窗3后进入电离室8内部电离样品分子，产生的离子在传输电极9作用下进入质谱进行检测； 通过对进气阀4的进样量和抽气泵6的抽速的控制，可以实时改变气体吸收池2内部的气压来调节真空紫外光的透过率，抑制真空紫外光源1光强波动对质谱信号稳定性的影响。

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