珠海一微半导体股份有限公司何再生获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海一微半导体股份有限公司申请的专利用于DDR存储器的读控制系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116226032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310159789.4,技术领域涉及:G06F15/78;该发明授权用于DDR存储器的读控制系统是由何再生;李璋辉;常子奇;成世明;方励;林立;赖钦伟;周和文设计研发完成,并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于DDR存储器的读控制系统在说明书摘要公布了:本申请公开用于DDR存储器的读控制系统,读控制系统包括MCU、片外cache、以及DDR接口控制器;读控制系统被配置为读取DDR存储器;DDR存储器用于存储像素数据;DDR接口控制器与MCU读控制系统外部的DDR存储器连接,DDR接口控制器用于按照第一预设操作模式从DDR存储器读取像素数据;片外cache内设多条缓存行;片外cache通过DDR接口控制器读取像素数据,并将读取的像素数据暂存到对应一条缓存行内,当读取到的多行像素数据填满所有缓存行时,确定获取到一个检测窗口所覆盖的像素数据;每条缓存行都与MCU连接,以使MCU同时读取到各条缓存行内的像素数据,或先后读取到相应一条缓存行内的像素数据;其中,MCU是按照第二预设操作模式读取每条缓存行内的像素数据。
本发明授权用于DDR存储器的读控制系统在权利要求书中公布了:1.用于DDR存储器的读控制系统,其特征在于,读控制系统包括MCU、片外cache、以及DDR接口控制器;读控制系统被配置为读取DDR存储器;DDR存储器用于存储像素数据; DDR接口控制器与MCU读控制系统外部的DDR存储器连接,DDR接口控制器用于按照第一预设操作模式从DDR存储器读取像素数据; 片外cache内设多条缓存行; 片外cache通过DDR接口控制器读取像素数据,并将读取的像素数据暂存到对应一条缓存行内,当读取到的多行像素数据填满所有缓存行时,确定获取到一个检测窗口所覆盖的像素数据;一条缓存行缓存的像素数据是检测窗口在一帧图像表面内框定的一行像素数据;检测窗口是配置为在一帧图像表面进行像素数据遍历的可滑动方框,检测窗口的尺寸与缓存行的条数相关联;检测窗口在一帧图像的列方向上的尺寸等于所述片外cache内设的缓存行的数量; 每条缓存行都与MCU连接,以使MCU同时读取到各条缓存行内的像素数据,或先后读取到相应一条缓存行内的像素数据;其中,MCU是按照第二预设操作模式读取每条缓存行内的像素数据; 其中,MCU、片外cache、以及DDR存储器不制造在同一硅片上。
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