滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司朱虹玲获国家专利权
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龙图腾网获悉滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司申请的专利薄膜晶体管、显示面板以及薄膜晶体管的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310297025.1，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管、显示面板以及薄膜晶体管的制作方法是由朱虹玲;卓恩宗;康报虹设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管、显示面板以及薄膜晶体管的制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种薄膜晶体管、显示面板以及薄膜晶体管的制作方法，涉及显示技术领域，所述薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极和漏极，所述栅极形成在所述衬底上，所述栅极绝缘层形成在所述栅极上，所述有源层形成在所述栅极绝缘层上，所述欧姆接触层形成在所述有源层上，所述源极和漏极均形成在所述欧姆接触层上，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述欧姆接触层与所述有源层之间，其中，所述第一绝缘层的膜厚为30‑50A；本申请通过以上设计，增高有源层能带势垒，阻隔空穴，降低TFT关态电流。
本发明授权薄膜晶体管、显示面板以及薄膜晶体管的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，包括： 衬底； 栅极，形成在所述衬底上； 栅极绝缘层，形成在所述栅极上； 有源层，形成在所述栅极绝缘层上； 欧姆接触层，形成在所述有源层上； 源极和漏极，所述源极和漏极均形成在所述欧姆接触层上； 其特征在于，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述欧姆接触层与所述有源层之间，其中 所述第一绝缘层的膜厚为30Å-50Å；所述第一绝缘层为二氧化硅绝缘层； 所述欧姆接触层为高浓度掺杂的N型导电层；所述欧姆接触层包括第一掺杂层、第二掺杂层和位于所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的第一非晶硅层；所述第一掺杂层设置在所述第一绝缘层上；其中，所述第一非晶硅层为不掺杂的非晶硅层，所述第一掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层的掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司，其通讯地址为：239200 安徽省滁州市经济技术开发区苏滁大道101号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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