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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种通过通孔刻蚀改善高阻区电阻的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310286345.7，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权一种通过通孔刻蚀改善高阻区电阻的方法是由黄山设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过通孔刻蚀改善高阻区电阻的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种通过通孔刻蚀改善高阻区电阻的方法，半导体结构包括金属层、第一SiN层、TiN层、TiO层、第二SiN层；通过光刻定义出高阻区；按照定义出的高阻区对TiO层、第二SiN层及TiN层进行刻蚀，形成叠层结构；在第一SiN层上形成PEOX层以覆盖叠层结构；刻蚀PEOX层及PEOX层以下的第一SiN层形成通孔；刻蚀形成通孔的同时，位于叠层结构上的PEOX层以及叠层结构上的第二SiN层也被刻蚀形成凹槽；去除凹槽底部的TiO层，将叠层结构的TiN层上表面暴露。本发明在传统工艺基础上，改变膜层结构，在TiN上沉积一层50A的TiO，作为通孔刻蚀时高阻区上的停止层和牺牲层，在通孔刻蚀结束后，将牺牲层去除，通过改变高阻区域膜层结构，改善阻值。

本发明授权一种通过通孔刻蚀改善高阻区电阻的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过通孔刻蚀改善高阻区电阻的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供半导体结构，所述半导体结构包括：金属层、位于所述金属层上的第一SiN层，位于所述第一SiN层上的TiN层，位于所述TiN层上的TiO层，位于所述TiO层上的第二SiN层； 步骤二、通过光刻工艺在所述半导体结构上定义出高阻区； 步骤三、按照所定义出的高阻区对所述TiO层、第二SiN层以及所述TiN层进行刻蚀，刻蚀至所述第一SiN层的上表面停止；形成叠层结构； 步骤四、在所述第一SiN层上形成PEOX层以覆盖所述叠层结构； 步骤五、刻蚀所述PEOX层及所述PEOX层以下的第一SiN层，形成通孔；刻蚀形成所述通孔的同时，位于所述叠层结构上的所述PEOX层以及所述叠层结构上的所述第二SiN层也被刻蚀，并且刻蚀至露出所述TiO层为止，形成凹槽； 步骤六、去除所述凹槽底部的TiO层，将所述叠层结构的所述TiN层上表面暴露。

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