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龙图腾网获悉内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司申请的专利一种硅晶体内体微缺陷的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116200810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111446129.1，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权一种硅晶体内体微缺陷的控制方法是由袁长宏;娄中士;李鹏飞;田旭东;李振;闫鹏飞;沙志强;张净源;周宏邦;贾海洋;王淼;张强设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅晶体内体微缺陷的控制方法在说明书摘要公布了：一种硅晶体内体微缺陷的控制方法，在硅晶体的等径生长过程中，对已拉出的等径段进行分段测温；获得所述硅晶体的各分段等径段的测温值，与相应的分段等径段的标准温度对比，选择适合所述硅晶体的各分段等径段的保温方式，以使所述硅晶体的各分段等径段的温度在相应的分段的标准温度范围内；再基于所述硅晶体的体微缺陷密度的指标，与标准体微缺陷密度对比，确定该段等径段在其标准温度范围内的保温时长，以获得符合指标的体微缺陷密度的所述硅晶体。本发明可以改变氧析出物在硅晶体中不同梯度分段温度范围内的形核程度，以改变BMD的生长情况，获得不同要求的BMD密度的硅晶体，以适应不同终端产品所需的BMD密度的硅晶体。

本发明授权一种硅晶体内体微缺陷的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种硅晶体内体微缺陷的控制方法，其特征在于，步骤包括： 在硅晶体的等径生长过程中，对已拉出的等径段进行分段测温，其中所述分段是基于点微缺陷的形核温度范围和体微缺陷的形核温度范围所对应的高度而定，包括沿其长度方向从下到上依次连接设置的第一分段和第二分段； 获得所述硅晶体的各分段等径段的测温值，与相应的分段等径段的标准温度对比，其中所述第一分段的标准温度为所述点微缺陷的形核温度的最高值，为1150±50℃；所述第二分段的标准温度为所述体微缺陷的形核温度的最高值，为950±50℃； 选择适合所述硅晶体的各分段等径段的保温方式，以使所述硅晶体的各分段等径段的温度在相应的分段的标准温度范围内； 再基于所述硅晶体的体微缺陷密度的指标，与标准体微缺陷密度对比，其中所述硅晶体的标准体微缺陷密度为1E+9-5E+9；确定该段等径段在其标准温度范围内的保温时长，以获得符合指标的体微缺陷密度的所述硅晶体； 其中所述第一分段的标准保温时长为1-3h；所述第二分段的标准保温时长为3-5h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司，其通讯地址为：010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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