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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310221237.1，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种半导体发光二极管是由李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体发光二极管在说明书摘要公布了：本发明提出了一种半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底以及由第一n型半导体层、第二n型半导体层、浅量子阱层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层组成的载流子隧穿平衡结构；所述第一n型半导体层、第二n型半导体层和浅量子阱层的SiO浓度比例均大于1，且所述第二n型半导体层的SiO浓度比例大于所述第一n型半导体层和所述浅量子阱层的SiO浓度比例，所述量子阱层的SiO浓度比例小于1；所述电子阻挡层和p型半导体层的MgH浓度比例均大于1，所述量子阱层的MgH浓度比例小于1。本发明使电子和空穴载流子在量子阱层中从漂移、扩散、热发射等占主导的跃迁模式转变为通过量子阱层隧穿为主导的跃迁模式，以提升半导体发光二极管的发光效率。

本发明授权一种半导体发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光二极管，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底、第一n型半导体层、第二n型半导体层、浅量子阱层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层； 所述第一n型半导体层、第二n型半导体层和浅量子阱层的SiO浓度比例均大于1，所述第二n型半导体层的SiO浓度比例大于所述第一n型半导体层和所述浅量子阱层的SiO浓度比例，且所述第一n型半导体层、第二n型半导体层、浅量子阱层与量子阱层之间的SiO浓度比例呈U型分布，所述量子阱层的SiO浓度比例小于1； 所述电子阻挡层和p型半导体层的MgH浓度比例均大于1，所述量子阱层的MgH浓度比例小于1； 所述第一n型半导体层、第二n型半导体层、浅量子阱层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层形成载流子隧穿平衡结构； 所述量子阱层为由阱层和垒层组成的周期结构，所述量子阱层的周期数为x：8≤x≤20，所述量子阱层的阱层厚度为a：30埃米≤a≤70埃米，所述量子阱层的垒层为超薄垒层，垒层厚度b：20埃米≤b≤40埃米； 所述电子阻挡层的Al含量高于所述第一n型半导体层、第二n型半导体层、浅量子阱层、量子阱层和p型半导体层的Al含量，且所述Al含量由量子阱层、浅量子阱层、第二n型半导体层至第一n型半导体层为下降趋势，Al含量从1E6a.u.下降到1E3a.u.以下。

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