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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种阴离子柱撑超微孔膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116173746B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211658601.2，技术领域涉及：B01D69/10；该发明授权一种阴离子柱撑超微孔膜及其制备方法与应用是由崔希利;胡静;邢华斌;锁显设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阴离子柱撑超微孔膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阴离子柱撑超微孔膜及其制备方法及其在低碳烃分离中的应用。该超微孔膜性质稳定并呈现出优异的分离选择性和渗透通量。制备方法：将具有氢键基团的聚合物旋涂于基底层，干燥成膜，修饰基底层，再在基底层表面原位生长无机阴离子柱撑超微孔材料层，得到该超微孔膜。无机阴离子柱撑超微孔材料层的材料由金属离子、无机阴离子和柔性配体通过配位键自组装形成；金属离子为Cu2+、Zn2+中的至少一种；无机阴离子为SiF62‑、GeF62‑中的至少一种；柔性配体为4,4’‑联吡啶硫醚、4,4’‑联吡啶硫醚亚砜中的至少一种。

本发明授权一种阴离子柱撑超微孔膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种阴离子柱撑超微孔膜在乙炔乙烯或乙炔二氧化碳分离中的应用，其特征在于，所述阴离子柱撑超微孔膜的制备方法包括以下步骤： 1将具有氢键基团的聚合物旋涂于基底层，干燥成膜，得到修饰后的基底层； 2通过溶剂热反应在步骤1所得的修饰后的基底层表面原位生长无机阴离子柱撑超微孔材料层，先将步骤1所得的修饰后的基底层浸泡于无机阴离子盐溶液和金属盐溶液的混合溶液中使得无机阴离子和金属离子充分浸润基底层表面，再加入柔性配体溶液进行所述的溶剂热反应，得到所述的阴离子柱撑超微孔膜； 所述具有氢键基团的聚合物为聚乙烯醇、聚乙二醇中的至少一种； 所述基底层包含无机基底层和有机聚合物基底层，所述无机基底层的材料为氧化铝，所述有机聚合物基底层的材料选自聚醚砜、聚醚砜聚乙烯吡咯烷酮树脂、聚醚砜磺化聚醚醚酮树脂中的一种； 所述无机阴离子柱撑超微孔材料层的材料由金属离子、无机阴离子和柔性配体通过配位键自组装形成；所述金属离子为Cu2+；所述无机阴离子为GeF62-；所述柔性配体为4,4’-联吡啶硫醚。

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